| 講演名 | 2012-11-30 AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) 富田 優志, 平山 秀樹, 藤川 紗千恵, 水澤 克哉, 豊田 史朗, 鎌田 憲彦, |
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| 抄録(和) | AlGaN系深紫外LEDのAlNバッファーを結合ピラー構造とすることで、貫通転位密度低減による内部量子効率(IQE)の向上、ならびに光取出し効率(LEE)の飛躍的向上が期待される。本研究では、サファイア加工基板(PSS;Patterned Sapphire Substrate)上に、「アンモニアパルス供給多段AlN成長」と横エンハンス成長を組み合わせることで、結合ピラー構造を制御よく形成することに世界初成功した。さらに、横エンハンス成長モードをコントロールし、結合ピラー構造を埋め込み、平坦なAlNテンプレートを作製した。作成したAlNテンプレート上にLEDを作製し、発光波長265nmにおいて、室温CW動作光出力5.5mWを実現した。 |
| 抄録(英) | A connected-pillar AlN buffer structure fabricated on sapphire substrate is considered to be quite effective for increasing efficiency of AlGaN based deep-ultraviolet (DUV) LEDs, because of improving internal quantum efficiency (IQE) due to reduced threading-dislocation density (TDD), and light-extraction efficiency (LEE). In this study, we demonstrated the fabrication of connected-pillar AlN structure buffer on patterned-sapphire substrates (PSS) by using an 'NH_3 pulsed flow multi-layer growth' method and an epitaxial lateral overgrowth (ELO). We obtained output power of 5.5mW from 265nm AlGaN-based DUV-LED fabricated on connected-pillar AlN buffer on PSS under room temperature CW operation. |
| キーワード(和) | 深紫外LED / MOCVD / AlN / AlGaN / 結合ピラー |
| キーワード(英) | DUV-LED / MOCVD / AlN / AlGaN / Connected pillar |
| 資料番号 | ED2012-84,CPM2012-141,LQE2012-112 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2012/11/22(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Approaches for improving efficiency of AlGaN-based deep-UV LEDs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 深紫外LED / DUV-LED |
| キーワード(2)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(3)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(4)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(5)（和/英） | 結合ピラー / Connected pillar |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 富田 優志 / Yuji TOMITA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 埼玉大学工学部理工学研究科 Saitama University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 平山 秀樹 / Hideki HIRAYAMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 独立行政法人理化学研究所 RIKEN |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤川 紗千恵 / Sachie FUJIKAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 独立行政法人理化学研究所 RIKEN |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 水澤 克哉 / Katsuya MIZUSAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 埼玉大学工学部理工学研究科 Saitama University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 豊田 史朗 / Shiro TOYODA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 埼玉大学工学部理工学研究科 Saitama University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 鎌田 憲彦 / Norihiko KAMATA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 埼玉大学工学部理工学研究科 Saitama University |
| 発表年月日 | 2012-11-30 |
| 資料番号 | ED2012-84,CPM2012-141,LQE2012-112 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 327 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |