| 講演名 | 2012-11-30 Effects of internal fields and potential inhomogeneity on the lasing properties of InGaN-based green laser diodes fabricated on (0001) polar substrates , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | The optical properties of InGaN-based green (512nm) laser structures fabricated on (0001) GaN substrates are investigated by means of photoluminescence and gain spectroscopies. It is demonstrated that in the state-of-the-art (0001) green InGaN quantum wells, potential fluctuations are drastically suppressed, and the internal loss is as low as ～10/cm, both of which lead to a low threshold current density of 2.75kA/cm^2. The suppressed inhomogeneity also contributes to high linearity of gain increase with the injection current. The differential gain is relatively low, and is attributed to a low confinement factor in the longer wavelength spectral range. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Green laser diodes / (0001) planes / Optical properties / Gain / Potential fluctuations / Piezoelectric polarization |
| 資料番号 | ED2012-81,CPM2012-138,LQE2012-109 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2012/11/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of internal fields and potential inhomogeneity on the lasing properties of InGaN-based green laser diodes fabricated on (0001) polar substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Green laser diodes |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Yoon Seok KIM |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 発表年月日 | 2012-11-30 |
| 資料番号 | ED2012-81,CPM2012-138,LQE2012-109 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 327 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |