| 講演名 | 2012-11-30 DERI法を用いたInGaN系量子ナノ構造のRF-MBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) 荒木 努, 上松 尚, 阪口 順一, 王 科, 山口 智広, / 名西 [ヤス]之, |
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| 抄録(和) | 本研究では、DERI(Droplet Elimination by Radical-beam Irradiation)法をInGaN混晶成長に適用し、InGaN系多重量子井戸構造の作製に成功した。DERI法によるInGaN成長では、メタルリッチ成長時にGaが優先的にNと結合し、余剰のInがドロップレットとして表面に析出する。この状態でNラジカルのみを供給した場合には、InドロップレットはInN膜へと変換され、このプロセスを繰り返すことによりInN/In_<0.7>Ga_<0.3>Nの多重量子井戸構造の作製を行った。一方、プラズマパワーを変化させたNラジカルをGaと同時に供給するプロセスの繰り返しにより、In_<0.2>Ga_<0.8>N/In_<0.3>Ga_<0.7>N多重量子井戸構造を得ることに成功した。これらの構造からは、TEM、XRDによる明瞭な周期構造が確認され、また赤外および緑色領域からのPL発光も得られた。 |
| 抄録(英) | We successfully demonstrated fabrication of InN/In_<0.7>Ga_<0.3>N and In_<0.2>Ga_<0.8>N/In_<0.3>Ga_<0.7>N multi quantum well (MQW) structures using droplet elimination by radical-beam irradiation (DERI) method. First, InGaN was grown under a metal rich condition by supplying Ga, In and N^* simultaneously, in which In was preferentially swept out to the surface. Second, the swept In on the InGaN was transformed to InN by N^* irradiation. Thus, by simply repeating these processes InN/In_<0.7>Ga_<0.3>N MQW structure was fabricated. On the other hand, by supplying Ga and N^* with different plasma power, In_<0.2>Ga_<0.8>N/In_<0.3>Ga_<0.7>N MQW structure was similarly fabricated. TEM and XRD studies confirmed that these InGaN-based MQW structures had uniform periodic structures. Strong PL peaks at IR and green regions were also observed respectively. |
| キーワード(和) | DERI法 / InN / InGaN / 結晶成長 / MBE / 多重量子井戸構造 |
| キーワード(英) | DERI / InN / InGaN / crystal growth / MBE / multi quantum well structure |
| 資料番号 | ED2012-78,CPM2012-135,LQE2012-106 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2012/11/22(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | DERI法を用いたInGaN系量子ナノ構造のRF-MBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | RF-MBE growth of InGaN-based quantum nanostructures using DERI |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | DERI法 / DERI |
| キーワード(2)（和/英） | InN / InN |
| キーワード(3)（和/英） | InGaN / InGaN |
| キーワード(4)（和/英） | 結晶成長 / crystal growth |
| キーワード(5)（和/英） | MBE / MBE |
| キーワード(6)（和/英） | 多重量子井戸構造 / multi quantum well structure |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 荒木 努 / Tsutomu ARAKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部 College of Science and Engineering, Ritsumeikan University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 上松 尚 / Nao UEMATSU |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部 College of Science and Engineering, Ritsumeikan University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 阪口 順一 / Junichi SAKAGUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部 College of Science and Engineering, Ritsumeikan University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 王 科 / Ke WANG |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 立命館大学R-GIRO R-GIRO, Ritsumeikan University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山口 智広 / Tomohiro YAMAGUCHI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 工学院大学工学部 College of Engineering, Kogakuin University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | / 名西 [ヤス]之 / Euijoon Yoon |
| 第 6 著者 所属（和/英） | ソウル国立大学WCUプログラム WCU Program, Seoul National University |
| 発表年月日 | 2012-11-30 |
| 資料番号 | ED2012-78,CPM2012-135,LQE2012-106 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 327 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |