| 講演名 | 2012-11-30 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) 神野 大樹, 岡田 俊祐, 三宅 秀人, 平松 和政, 江夏 悠貴, 長尾 哲, |
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| 抄録(和) | (10-10)GaNや(20-21)GaN,(20-2-1)GaNをはじめとする非極性GaN基板上へのGaNの選択MOVPE成長を行い,それによって形成されるファセット構造を明らかにした.SiO_2マスクのストライプ方向によって得られる構造は異なり,[-12-10]方向の場合には,全ての非極性GaN基板において主に(000-1)と(10-11)ファセットで構成される非対称な構造が得られた.一方,[-1014]及び[10-14]方向の場合には,(20-21)GaNでは{11-20}ファセット,(20-2-1)GaNでは(20-2-1)ファセットが大きく出現した. |
| 抄録(英) | The selective-area growth (SAG) on nonpolar (10-10)(20-21)(20-2-1) GaN substrates by MOVPE was demonstrated, and the facet structures were investigated. The different structures depending on the SiO_2-mask stripe directions were observed. Anisotropic structures with (000-1) and (10-11) facets were obtained for all of the nonpolar GaN substrates along the [-12-10] direction. On the other hand, {11-20} and (20-2-1) facets appeared for SAG on the (20-21) GaN and (20-2-1) GaN substrates with SiO_2 mask along the [-1014] and [10-14] directions, respectively. |
| キーワード(和) | 非極性 / GaN / MOVPE / 選択成長 / ファセット |
| キーワード(英) | nonpolar / GaN / MOVPE / selective area growth / facet |
| 資料番号 | ED2012-77,CPM2012-134,LQE2012-105 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2012/11/22(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Selective MOVPE growth on nonpolar GaN substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 非極性 / nonpolar |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(4)（和/英） | 選択成長 / selective area growth |
| キーワード(5)（和/英） | ファセット / facet |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 神野 大樹 / D. JINNO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三重大学 Mie University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岡田 俊祐 / S. OKADA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三重大学 Mie University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 三宅 秀人 / H. MIYAKE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三重大学 Mie University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 平松 和政 / K. HIRAMATSU |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三重大学 Mie University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 江夏 悠貴 / Y. ENATSU |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱化学 Mitsubishi Chemical Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 長尾 哲 / S. NAGAO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱化学科学技術研究センター Mitsubishi Chemical Group Science and Technology Research Center Inc. |
| 発表年月日 | 2012-11-30 |
| 資料番号 | ED2012-77,CPM2012-134,LQE2012-105 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 327 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |