| 講演名 | 2012-11-29 Effect of Passivation on Drain Current Dispersion for AlGaN/GaN HEMTs , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | AlGaN/GaN HEMTs with different passivation layers were studied using pulsed I-V system. The maximum drain current showed higher values at pulsed conditions as compared with DC for SiN passivation, and vice versa for Al_2O_3, SiO_2 and without passivation. The drain current decreased with increasing the on-state time for SiN, which indicated that the most probable location of trap was at the AlGaN layer beneath the gate. Increasing tendency of drain current with increasing on-state time indicated that the surface traps were dominant for this behavior, which was the case for Al_2O_3, SiO_2, and without passivation. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | AlGaN/GaN HEMTs / current dispersion / passivation / pulsed IV system |
| 資料番号 | ED2012-76,CPM2012-133,LQE2012-104 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2012/11/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of Passivation on Drain Current Dispersion for AlGaN/GaN HEMTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / AlGaN/GaN HEMTs |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Md. Tanvir HASAN |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Graduate School of Engineering, University of Fukui |
| 発表年月日 | 2012-11-29 |
| 資料番号 | ED2012-76,CPM2012-133,LQE2012-104 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 327 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |