講演名 2012-11-19
高温燃焼グラファイト電界放出源を用いた高電圧X線管(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
岩井 勇輔, 小池 高寿, 定塚 淳生, 羽山 洋平, 中村 智宣, 鬼塚 好弘, 三村 秀典,
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抄録(和) 高温燃焼グラファイト電界放出源(Graphite field emitter inflamed at high temperature:GFEIHT)を用いた、高電圧駆動のX線管を開発した。GFEIHTは、高純度グラファイト棒(99.9%)を水素-酸素混合炎(混合比2:1)中に曝露することにより作製される。その表面には、ナノサイズの突起が無数に存在している。GFEIHT陰極の電気特性を、ベリリウムX線窓を有する硝子製の陽極管(内圧10^<-8>Pa台)にて評価したところ、陰極-陽極間電圧30kV時において500μA以上の電流を得た。この陽極管を10^<-7>Pa以下で封止し,X線管を作製した.このX線管の陽極電流を500μAと一定にしたときの陽極電圧(30kV)の変動率(標準偏差/平均値)をX線管の安定度として定義し,これを求めることにより評価したところ、40時間以上の変動率は0.72%であった.
抄録(英) We developed high voltage X-ray tubes using graphite field emitter inflamed at high temperature (GFEIHT). GFEIHT was fabricated from a graphite rod with a purity of 99.9 % which was inflamed in a hydrogen and oxygen gas mixture, with a gas ratio of hydrogen and oxygen of 2:1. The graphite surface had numberless nano-protrusions. We evaluated an electrical property of a GFEIHT cathode in an anode tube with a Be window. The anode current was to be 500 μA at voltage of 30 kV. The anode tube was tipped off under 10^<-7> Pa in order to fabricate an X-ray tube with the GFEIHT. A stability of this X-ray tube defined as variation coefficient (standard deviation/mean) of an anode voltage of 30 kV at a constant current of 500 μA was estimated to be 0.72%.
キーワード(和) 電界放出 / 炭素材料 / X線管
キーワード(英) Field emission / Carbon materials / X-ray tube
資料番号 ED2012-56
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2012/11/12(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 高温燃焼グラファイト電界放出源を用いた高電圧X線管(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
サブタイトル(和)
タイトル(英) High Voltage X-ray Tube using Graphite Field Emitter inflamed at High Temperature
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 電界放出 / Field emission
キーワード(2)(和/英) 炭素材料 / Carbon materials
キーワード(3)(和/英) X線管 / X-ray tube
第 1 著者 氏名(和/英) 岩井 勇輔 / Yusuke Iwai
第 1 著者 所属(和/英) 株式会社鬼塚硝子:静岡大学
Research Laboratory, Onizuka Glass Corporation:Research Institute of Electronics, Shizuoka University
第 2 著者 氏名(和/英) 小池 高寿 / Takayoshi Koike
第 2 著者 所属(和/英) 株式会社鬼塚硝子
Research Laboratory, Onizuka Glass Corporation
第 3 著者 氏名(和/英) 定塚 淳生 / Atsuo Jyouzuka
第 3 著者 所属(和/英) 株式会社鬼塚硝子
Research Laboratory, Onizuka Glass Corporation
第 4 著者 氏名(和/英) 羽山 洋平 / Youhei Hayama
第 4 著者 所属(和/英) 株式会社鬼塚硝子
Research Laboratory, Onizuka Glass Corporation
第 5 著者 氏名(和/英) 中村 智宣 / Tomonori Nakamura
第 5 著者 所属(和/英) 株式会社鬼塚硝子
Research Laboratory, Onizuka Glass Corporation
第 6 著者 氏名(和/英) 鬼塚 好弘 / Yoshihiro Onizuka
第 6 著者 所属(和/英) 株式会社鬼塚硝子
Research Laboratory, Onizuka Glass Corporation
第 7 著者 氏名(和/英) 三村 秀典 / Hidenori Mimura
第 7 著者 所属(和/英) 静岡大学
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
発表年月日 2012-11-19
資料番号 ED2012-56
巻番号(vol) vol.112
号番号(no) 303
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日