講演名 | 2012-11-19 高温燃焼グラファイト電界放出源を用いた高電圧X線管(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術) 岩井 勇輔, 小池 高寿, 定塚 淳生, 羽山 洋平, 中村 智宣, 鬼塚 好弘, 三村 秀典, |
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抄録(和) | 高温燃焼グラファイト電界放出源(Graphite field emitter inflamed at high temperature:GFEIHT)を用いた、高電圧駆動のX線管を開発した。GFEIHTは、高純度グラファイト棒(99.9%)を水素-酸素混合炎(混合比2:1)中に曝露することにより作製される。その表面には、ナノサイズの突起が無数に存在している。GFEIHT陰極の電気特性を、ベリリウムX線窓を有する硝子製の陽極管(内圧10^<-8>Pa台)にて評価したところ、陰極-陽極間電圧30kV時において500μA以上の電流を得た。この陽極管を10^<-7>Pa以下で封止し,X線管を作製した.このX線管の陽極電流を500μAと一定にしたときの陽極電圧(30kV)の変動率(標準偏差/平均値)をX線管の安定度として定義し,これを求めることにより評価したところ、40時間以上の変動率は0.72%であった. |
抄録(英) | We developed high voltage X-ray tubes using graphite field emitter inflamed at high temperature (GFEIHT). GFEIHT was fabricated from a graphite rod with a purity of 99.9 % which was inflamed in a hydrogen and oxygen gas mixture, with a gas ratio of hydrogen and oxygen of 2:1. The graphite surface had numberless nano-protrusions. We evaluated an electrical property of a GFEIHT cathode in an anode tube with a Be window. The anode current was to be 500 μA at voltage of 30 kV. The anode tube was tipped off under 10^<-7> Pa in order to fabricate an X-ray tube with the GFEIHT. A stability of this X-ray tube defined as variation coefficient (standard deviation/mean) of an anode voltage of 30 kV at a constant current of 500 μA was estimated to be 0.72%. |
キーワード(和) | 電界放出 / 炭素材料 / X線管 |
キーワード(英) | Field emission / Carbon materials / X-ray tube |
資料番号 | ED2012-56 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ED |
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開催期間 | 2012/11/12(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 高温燃焼グラファイト電界放出源を用いた高電圧X線管(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | High Voltage X-ray Tube using Graphite Field Emitter inflamed at High Temperature |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 電界放出 / Field emission |
キーワード(2)(和/英) | 炭素材料 / Carbon materials |
キーワード(3)(和/英) | X線管 / X-ray tube |
第 1 著者 氏名(和/英) | 岩井 勇輔 / Yusuke Iwai |
第 1 著者 所属(和/英) | 株式会社鬼塚硝子:静岡大学 Research Laboratory, Onizuka Glass Corporation:Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 小池 高寿 / Takayoshi Koike |
第 2 著者 所属(和/英) | 株式会社鬼塚硝子 Research Laboratory, Onizuka Glass Corporation |
第 3 著者 氏名(和/英) | 定塚 淳生 / Atsuo Jyouzuka |
第 3 著者 所属(和/英) | 株式会社鬼塚硝子 Research Laboratory, Onizuka Glass Corporation |
第 4 著者 氏名(和/英) | 羽山 洋平 / Youhei Hayama |
第 4 著者 所属(和/英) | 株式会社鬼塚硝子 Research Laboratory, Onizuka Glass Corporation |
第 5 著者 氏名(和/英) | 中村 智宣 / Tomonori Nakamura |
第 5 著者 所属(和/英) | 株式会社鬼塚硝子 Research Laboratory, Onizuka Glass Corporation |
第 6 著者 氏名(和/英) | 鬼塚 好弘 / Yoshihiro Onizuka |
第 6 著者 所属(和/英) | 株式会社鬼塚硝子 Research Laboratory, Onizuka Glass Corporation |
第 7 著者 氏名(和/英) | 三村 秀典 / Hidenori Mimura |
第 7 著者 所属(和/英) | 静岡大学 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
発表年月日 | 2012-11-19 |
資料番号 | ED2012-56 |
巻番号(vol) | vol.112 |
号番号(no) | 303 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |