| 講演名 | 2012-11-27 SOTBを用いた低消費電リコンフィギャラブルアクセラレータの設計(リコンフィギャラブルアクセラレータ,デザインガイア2012-VLSI設計の新しい大地-) 蘇 洪亮, 王 蔚涵, 天野 英晴, |
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| 抄録(和) | 近年、バッテリ駆動のモバイル機器から大規模なデータセンタのコンピュータまで消費電力は深刻な問題となっている。特に、低電源電圧V_| のばらつき増加が問題になっている。この問題に対し,超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)がSilicon On Thin Buried Oxide(SOTB)を開発した。このSOTBはFD-SOIの構造なので、基板浮遊効果が発生しにくく、V_ | のばらつきを抑えることが特徴である。このSOTB技術を検証するため、リコンフィギャラブルアクセラレータCool Mega Array(CMA)に対してLEAP 65nmプロセスを適用し、さらに低消費電力を実現するアクセラレータCMASOTBを実装した。CMASOTBは電源電圧0.4V、動作周波数は50MHzで動作し、アプリケーションを実行した場合、消費電力はbulkデバイスで実装したCMA-1の約26%を達成した。 | |
| 抄録(英) | Nowadays, from battery supplied mobile devices to supercomputers, reducing the power consumption has become a serious design issue. Although using low power supply is the most efficient way to reduce the power, it also increases the leakage power and delay varience. Low-power Electronics Association & Project (LEAP) developed Silicon On Thin Buried Oxide (SOTB) technology in order to solve those problems. Since the SOTB employs fully depleted silicon-on-insulator (FD-SOI) CMOSFET, not only floating-body effects but also bias of threshold voltage can be suppressed. We developed a new reconfigurable accelerator Cool Mega Array (CMASOTB) to verify the SOTB technology. CMASOTB works with 50MHz operating frequency and 0.4V operating voltage. The evaluation results show that the power consumption of CMASOTB is 74% lower than that of CMA-1 which is implemented using a common bulk device. | ||
| キーワード(和) | SOTB CMOSFET / アクセラレータ / 低V_ |
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| キーワード(英) | Sillicon on Thin Buried Oxide CMOSFET / accelerator / low V_ |
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| 資料番号 | RECONF2012-47 | ||
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | RECONF |
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| 開催期間 | 2012/11/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Reconfigurable Systems (RECONF) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SOTBを用いた低消費電リコンフィギャラブルアクセラレータの設計(リコンフィギャラブルアクセラレータ,デザインガイア2012-VLSI設計の新しい大地-) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low Power Reconfiguarable Accelerator Design with Sillicon on Thin Buried Oxide |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SOTB CMOSFET / Sillicon on Thin Buried Oxide CMOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | アクセラレータ / accelerator |
| キーワード(3)（和/英） | 低V_ |
| キーワード(4)（和/英） | 低消費電力 / low power consumption |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 蘇 洪亮 / Hongliang SU |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 慶應義塾大学理工学部 Faculty of science and Technology, Keio University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 王 蔚涵 / Weihan WANG |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 慶應義塾大学理工学部 Faculty of science and Technology, Keio University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 天野 英晴 / Hideharu AMANO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 慶應義塾大学理工学部 Faculty of science and Technology, Keio University |
| 発表年月日 | 2012-11-27 |
| 資料番号 | RECONF2012-47 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 325 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |