| 講演名 | 2012-11-29 プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) 堀 祐臣, 谷田部 然治, 馬 万程, 橋詰 保, |
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| 抄録(和) | 原子層堆積法で形成したAl_2O_3膜をゲート絶縁膜としてAl_2O_3/AlGaN/GaNヘテロMOS構造を作製し、形成プロセス条件がAl_2O_3/AlGaN界面準位に与える影響についての評価を行った。オーミック熱処理時にSiN膜による表面保護を行うことで、熱処理によるAlGaN表面のN空孔関連の化学結合状態の乱れを抑制し、Al_2O_3/AlGaN界面準位の低減が可能であった。Al_2O_3膜堆積前にN_2Oラジカル表面処理を行うことで界面準位の制御が可能であることを、光支援C-V測定法によって確認した。N_2Oラジカル処理を行ったAl_2O_3/AlGaN/GaN MOS-HEMTは順バイアス領域における伝達特性の改善を示し、界面準位の低減による効果であると思われる。 |
| 抄録(英) | We have characterized effects of process conditions on Al_2O_3/AlGaN/GaN hetero-MOS structures prepared by atomic layer deposition. A SiN surface protection layer suppressed nitrogen-vacancy-related chemical disorder at the AlGaN surface even during high-temperature annealing, resulting in reduction of the Al_2O_3/AlGaN interface states. Photo-assisted C-V characteristics of the Al_2O_3/AlGaN/GaN structures indicated that an N_2O-radical treatment was also effective in reducing the Al_2O_3/AlGaN interface states. The N_2O-radical treated MOS-HEMT showed the improvement of transfer characteristics in the positive bias range, probably due to reduction of the Al_2O_3/AlGaN interface states. |
| キーワード(和) | AlGaN/GaN / Al_2O_3 / MOS / HEMT / 界面準位 |
| キーワード(英) | AlGaN/GaN / Al_2O_3 / MOS / HEMT / Interface state |
| 資料番号 | ED2012-74,CPM2012-131,LQE2012-102 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2012/11/22(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of process conditions on AlGaN/GaN hetero-MOS structures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN / AlGaN/GaN |
| キーワード(2)（和/英） | Al_2O_3 / Al_2O_3 |
| キーワード(3)（和/英） | MOS / MOS |
| キーワード(4)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(5)（和/英） | 界面準位 / Interface state |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 堀 祐臣 / Yujin HORI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 谷田部 然治 / Zenji YATABE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 馬 万程 / Wan-cheng MA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 橋詰 保 / Tamotsu HASHIZUME |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:JST-CREST Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University:JST-CREST |
| 発表年月日 | 2012-11-29 |
| 資料番号 | ED2012-74,CPM2012-131,LQE2012-102 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 327 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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