| 講演名 | 2012-11-29 GaN上にALD成膜したAl_2O_3を用いたMISダイオードの電気的特性(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) 岩田 康宏, 久保 俊晴, 江川 孝志, |
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| 抄録(和) | MIS構造に用いる絶縁体としてAl_2O_3に着目し、GaN上にALDで成膜したAl_2O_3を用いたMISダイオードを作製して特性評価を行った。成膜温度は200℃、250℃、300℃とし、酸素プリカーサーとして水またはオゾン、あるいは両方を用いた。水よりもオゾンを用いて300℃で成膜した場合にリーク電流および閾値電圧シフトが低減された。さらに、水やオゾンのみを用いた場合よりも、両方を交互に用いて成膜した場合の方が、Al_2O_3中の固定電荷の低減が見られた。 |
| 抄録(英) | We focused Al_2O_3 as an insulator in MIS structures. MIS-diodes were fabricated with Al_2O_3 deposited by ALD on GaN at 200℃, 250℃ and 300℃, and their electrical characteristics were evaluated. H_2O or O_3 or both of them were used as an oxygen precursor. The leakage current was suppressed by Al_2O_3 deposition, and the smallest threshold voltage shift was observed with the Al_2O_3 deposited by O_3 at 300℃ when using H_2O or O_3. Further the oxide charge in Al_2O_3 deposited by both H_2O and O_3 alternately was smaller than that Al_2O_3 deposited by H_2O or O_3. |
| キーワード(和) | GaN / MIS-diodes / ALD / insulator / interface |
| キーワード(英) | GaN / MIS-diodes / ALD / insulator / interface |
| 資料番号 | ED2012-73,CPM2012-130,LQE2012-101 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2012/11/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaN上にALD成膜したAl_2O_3を用いたMISダイオードの電気的特性(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical characteristics of MIS-diodes with Al_2O_3 deposited by ALD on GaN |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | MIS-diodes / MIS-diodes |
| キーワード(3)（和/英） | ALD / ALD |
| キーワード(4)（和/英） | insulator / insulator |
| キーワード(5)（和/英） | interface / interface |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岩田 康宏 / Yasuhiro IWATA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 久保 俊晴 / Toshiharu KUBO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi EGAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device System, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2012-11-29 |
| 資料番号 | ED2012-73,CPM2012-130,LQE2012-101 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 327 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |