| 講演名 | 2012-11-29 単結晶β-Ga_2O_3基板を用いたPt/β-Ga_2O_3ショットキーバリアダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) 佐々木 公平, 東脇 正高, 倉又 朗人, 増井 建和, 山腰 茂伸, |
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| 抄録(和) | 単結晶Ga_2O_3(010)基板を用いてショットキーバリアダイオードを作製した.フローティングゾーンで作製した単結晶Ga_2O_3基板は高い結晶性を有しており,X線ロッキングカーブの半値幅は32秒,エッチピット密度は1×10^4cm^<-2>であった.作製したデバイスはショットキー特性の理想係数がほぼ理想値1.0を示し,電界集中緩和構造を用いていないシンプルなデバイス構造で150V程度の耐圧が得られた.ショットキーバリアハイトを評価した結果,Pt/β-Ga_2O_3界面のバリアハイトは1.3-1.5eVであることがわかった. |
| 抄録(英) | We fabricated gallium oxide (Ga_2O_3) Schottky barrier diodes using β-Ga_2O_3 (010) single crystal substrates produced by the floating zone. The crystal quality of the substrates was excellent; the X-ray diffraction rocking curve peak had a full width at half maximum of 32 arcsec, and the etch pit density was less than 1×10^4cm^<-2>. The devices exhibited good characteristics, such as an ideality factor close to the unity and a reasonably high reverse breakdown voltage of about 150V. The Schottky barrier height of the Pt/β-Ga_2O_3 interface was estimated to be 1.3-1.5eV. |
| キーワード(和) | Ga_2O_3 / 酸化ガリウム / ショットキーバリアダイオード / ショットキーバリアハイト |
| キーワード(英) | Ga_2O_3 / Gallium Oxide / Schottky Barrier Diode / Shottky Barrier Height |
| 資料番号 | ED2012-71,CPM2012-128,LQE2012-99 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2012/11/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 単結晶β-Ga_2O_3基板を用いたPt/β-Ga_2O_3ショットキーバリアダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Pt/β-Ga_2O_3 Schottky Barrier Diodes Using Single-Crystal β-Ga_2O_3 Substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ga_2O_3 / Ga_2O_3 |
| キーワード(2)（和/英） | 酸化ガリウム / Gallium Oxide |
| キーワード(3)（和/英） | ショットキーバリアダイオード / Schottky Barrier Diode |
| キーワード(4)（和/英） | ショットキーバリアハイト / Shottky Barrier Height |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐々木 公平 / Kohei SASAKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | タムラ製作所:情報通信研究機構 TAMURA Corporation:National Institute of Information and Communications Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 東脇 正高 / Masataka HIGASHIWAKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構:科学技術振興機構 National Institute of Information and Communications Technology:PRESTO, Japan Science and Technology Agency (JST) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 倉又 朗人 / Akito KURAMATA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | タムラ製作所 TAMURA Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 増井 建和 / Takekazu MASUI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 光波 Koha Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山腰 茂伸 / Shigenobu YAMAKOSHI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | タムラ製作所 TAMURA Corporation |
| 発表年月日 | 2012-11-29 |
| 資料番号 | ED2012-71,CPM2012-128,LQE2012-99 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 327 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |