| 講演名 | 2012-11-29 GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) 渡邉 則之, 横山 春喜, 重川 直輝, |
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| 抄録(和) | 有機金属化学気相成長法(Metalorganic chemical vapor deposition:MOCVD)により、GaN基板上にn-GaN/un-InGaN/un-GaN/un-AlGaN/n-GaNを成長し、n-i-n型のダイオードを作製した。un-GaN/un-AlGaN/n-GaN(GAG)構造は、自発分極およびピエゾ分極の効果によりトンネル接合に近いバンドプロファイルを示す。このダイオードの電流-電圧特性を評価したところ、負性微分抵抗特性を得た。この負性微分特性はGAG構造によるトンネル接合の可能性を示唆するものである。 |
| 抄録(英) | We report an anomalous current-voltage behavior in an n-type GaN/undoped InGaN/undoped GaN/undoped AlGaN/n-type GaN diode grown by metalorganic chemical vapor deposition. The tunneling-junction-like band profile of the undoped GaN/undoped AlGaN/n-type GaN (GAG) structure is formed by a spontaneous and piezo polarization effect. We observe negative-differential resistance (NDR) behavior in the diode with the GAG structure. The NDR behavior suggests a possible tunneling junction consisting in the GAG structure. |
| キーワード(和) | トンネル接合 / 分極効果 / GaN / AlGaN / 負性微分抵抗 |
| キーワード(英) | tunneling junction / polarization effect / GaN / AlGaN / negative-differential resistance |
| 資料番号 | ED2012-70,CPM2012-127,LQE2012-98 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2012/11/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Anomalous current-voltage behavior in n-i-n type diode with GaN/AlGaN/GaN junction |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | トンネル接合 / tunneling junction |
| キーワード(2)（和/英） | 分極効果 / polarization effect |
| キーワード(3)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(4)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(5)（和/英） | 負性微分抵抗 / negative-differential resistance |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡邉 則之 / Noriyuki WATANABE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 横山 春喜 / Haruki YOKOYAMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 重川 直輝 / Naoteru SHIGEKAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪市立大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka City University |
| 発表年月日 | 2012-11-29 |
| 資料番号 | ED2012-70,CPM2012-127,LQE2012-98 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 327 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |