| 講演名 | 2012-11-29 III-V族窒化物薄膜の太陽電池応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) 角谷 正友, /, |
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| 抄録(和) | III-V族窒化物のワイドギャップ性を利用した太陽電池構成を提案する。既存の太陽電池上にIII-V族窒化物太陽電池を設置し、2つの太陽電池から独立に電力を得ることで(4端子素子)、電流マッチングを考慮せずに変換効率の向上を図れる。III-V族窒化物太陽電池用に厚い(0.3μm)InGaN薄膜の欠陥を評価したところ、混晶化にともないGa空孔および酸素不純物との複合欠陥が増加することがわかった。p-InGaNと活性層であるi-InGaNとの間に800℃で成長した2nm程度のAlN極薄膜を挿入することで変換効率が向上した。転位や点欠陥が低減されてp-i界面の高品質化が特性向上につながったと思われる。 |
| 抄録(英) | We have proposed the solar cell system composing III-V nitride film with wider band gap. III-V nitride solar cell is mechanically stacked with transparent glue on conventional InGaP solar cell, and photovoltaic power is independently obtained through 4 terminals, which would increase conversion efficiency. Current matching, which is crucial in tandem-type solar cell, is not taken into account in this structure. Defects in InGaN film with thickness of 0.3μm for applying to solar cell were characterized by using deep level optical spectroscopy. Ga vacancy and/or its complex with oxygen impurities must be enhanced by alloying InN to GaN. Conversion efficiency of p-i-n III-V nitride solar cell was improved by inserting AlN layer with ～2nm of thickness grown at 800℃ at the interface between p- and i-layers. Dislocation and point defects must be terminated by the AlN thin layer, which could improve the structure at p-i interface. |
| キーワード(和) | III-V族窒化物薄膜 / 太陽電池 / DLOS / 点欠陥 |
| キーワード(英) | III-V nitride films / Solar cell / Deep level optical spectroscopy / point defects |
| 資料番号 | ED2012-67,CPM2012-124,LQE2012-95 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2012/11/22(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | III-V族窒化物薄膜の太陽電池応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Application of III-V nitride films to photovoltaic devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | III-V族窒化物薄膜 / III-V nitride films |
| キーワード(2)（和/英） | 太陽電池 / Solar cell |
| キーワード(3)（和/英） | DLOS / Deep level optical spectroscopy |
| キーワード(4)（和/英） | 点欠陥 / point defects |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 角谷 正友 / Masatomo Sumiya |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (独)物質・材料研究機構ワイドギャップ機能材料グループ:JST-ALCA,科学技術振興機構 Wide-gap materials group, National Institute for Materials Science:JST-ALCA, Japan Science and Technology Agency |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | / / Liwen Sang |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (独)物質・材料,研究機構ICYS-MANA:JST-PRESTO,科学技術振興機構 ICYS-MANA, National Institute for Materials Science:JST-PREST, Japan Science and Technology Agency |
| 発表年月日 | 2012-11-29 |
| 資料番号 | ED2012-67,CPM2012-124,LQE2012-95 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 327 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |