| 講演名 | 2012-11-29 層状窒化ホウ素を剥離層とするGaN系デバイスの機械的転写法の開発(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) 小林 康之, 熊倉 一英, 赤坂 哲也, 山本 秀樹, 牧本 俊樹, |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | 窒化物半導体 / 六方晶窒化ホウ素 / 機械的転写 |
| キーワード(英) | Nitride Semiconductors / Hexagonal Boron Nitride / Mechanical Transfer |
| 資料番号 | ED2012-66,CPM2012-123,LQE2012-94 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2012/11/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 層状窒化ホウ素を剥離層とするGaN系デバイスの機械的転写法の開発(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Layered boron nitride as a release layer for mechanical transfer of GaN-based devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化物半導体 / Nitride Semiconductors |
| キーワード(2)（和/英） | 六方晶窒化ホウ素 / Hexagonal Boron Nitride |
| キーワード(3)（和/英） | 機械的転写 / Mechanical Transfer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小林 康之 / Yasuyuki KOBAYASHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 熊倉 一英 / Kazuhide KUMAKURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 赤坂 哲也 / Tetsuya AKASAKA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山本 秀樹 / Hideki YAMAMOTO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 牧本 俊樹 / Toshiki MAKIMOTO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation |
| 発表年月日 | 2012-11-29 |
| 資料番号 | ED2012-66,CPM2012-123,LQE2012-94 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 327 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 1 |
| 発行日 | |