| 講演名 | 2012-11-29 Si基板上GaN系HEMTにおける光照射時の過渡電流評価(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) 常家 卓也, 分島 彰男, 江川 孝志, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | Si基板上にAlGaN/GaN HEMTを作製し、電流コラプスを調査するために光照射時においてドレイン電流(I_d(t))の過渡現象の評価を行った。光の波長を変え評価した結果、より短波長の光照射時において回復が早い段階で起こる事が分かった。しかし、260nmの波長を照射時では300nm照射時よりも回復が遅くなった。光照射時の過渡電流を測定中に光を消すと、瞬時にドレイン電流が急に下がり、その後電流の回復は起こらず減少し続ける。このことより、光照射によってI_d(t)に見せかけの回復が起きたことが分かった。高い光エネルギーにより熱平衡時のフェルミ準位と擬フェルミ準位の関係が逆転したと考えられるが、このモデルだけは、光照射後オフした場合のドレイン電流過渡応答のすべてを説明することが困難であることが分かった。 |
| 抄録(英) | We evaluated a transient response of a drain current (I_d(t)) of an AlGaN/GaN HEMT on a Si substrate under light irradiation to investigate effect of the light on a current collapse. From the dependence of a wavelength, as a shorter wavelength light down to 300nm was irradiated, earlier recovery of I_d(t) was observed. However, the recovery under 260-nm light irradiation was delayed comparing to that under 300-nmlight irradiation. Moreover, we observed that I_d(t) abruptly fell down when the light was turned off during I_d(t) measurement. Moreover, I_d(t) continued to decrease. From this result, we believe that light irradiation induces pseudo-recovery of I_d(t). The abrupt decrease in I_d(t) at light-off can be explained by assumption that excess energy of light irradiation inverses correlation between intrinsic and pseudo Fermi level. However, this model is insufficient to explain continuous decrease in I_d(t) after light-off. |
| キーワード(和) | GaN / 高電子移動度トランジスタ(HEMT) / 電流コラプス / 光照射 |
| キーワード(英) | GaN / HEMT / Current collapse / Light irradiation |
| 資料番号 | ED2012-72,CPM2012-129,LQE2012-100 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 2012/11/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si基板上GaN系HEMTにおける光照射時の過渡電流評価(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of transient current of GaN HEMTs on Si under light |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 高電子移動度トランジスタ(HEMT) / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | 電流コラプス / Current collapse |
| キーワード(4)（和/英） | 光照射 / Light irradiation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 常家 卓也 / Takuya JOKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 分島 彰男 / Akio WAKEJIMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi EGAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device System, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2012-11-29 |
| 資料番号 | ED2012-72,CPM2012-129,LQE2012-100 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 328 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |