| 講演名 | 2012-11-29 大口径Si基板(8インチ&6インチ)上のAlN、AlGaNの高速成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) 徳永 裕樹, 生方 映徳, 矢野 良樹, 山岡 優哉, 山口 晃, 田渕 俊也, 松本 功, |
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| 抄録(和) | 今回我々は、8インチ×6枚を一度に処理可能な大型量産MOCVD装置を開発した。本装置によりSi(111)基板上にAlN、AlGaNを成長実験を行った。その結果、AlNに関しては、8インチSi基板上において2μm/hr以上、6インチSi基板上では4μm/hrの成長速度でも成長速度の飽和が観測されなかった。膜厚均一性±1.8%クラックフリーのエピ膜を得ることができた。またAlGaNに関しては、1μm/hr以上の成長速度ですべてのAl組成領域においてAl組成を制御できることを確認した。これらの結果から、本装置が高いレベルで気相反応を制御可能なガスフローを実現できていることが実証された。 |
| 抄録(英) | We have developed large scale MOCVD system with capacity of 6×8inch wafers. We have tried AlN and AlGaN growth on 8 inch Si(111) substrate using this system. As a result of AlN growth, we have not observed a growth rate saturation up to a growth rate as high as 2μm/hr for 8inch Si and 4μm/hr for 6inch Si. We obtained crack-free epitaxial film with good thickness uniformity of ±1.8%‥And as for AlGaN growth, we have confirmed that whole range of Al composition can be controlled at a growth rate of over 1μm/hr. These results indicate that gas phase pre-reaction between NH3 and MO precursor is controlled very well. |
| キーワード(和) | 8インチ / MOCVD / AlN / AlGaN / 気相反応 |
| キーワード(英) | 8 inch / MOCVD / AlN / AlGaN / Gas phase pre-reaction |
| 資料番号 | ED2012-69,CPM2012-126,LQE2012-97 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2012/11/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 大口径Si基板(8インチ&6インチ)上のAlN、AlGaNの高速成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High growth rate AlN and AlGaN on large diameter Si substrate (6inch & 8inch) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 8インチ / 8 inch |
| キーワード(2)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(3)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(4)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(5)（和/英） | 気相反応 / Gas phase pre-reaction |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 徳永 裕樹 / Hiroki Tokunaga |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社電子機材事業本部 Taiyo Nippon sanso corporation Electronics group |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 生方 映徳 / Akinori Ubukata |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社電子機材事業本部 Taiyo Nippon sanso corporation Electronics group |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 矢野 良樹 / Yoshiki Yano |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社電子機材事業本部 Taiyo Nippon sanso corporation Electronics group |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山岡 優哉 / Yuya Yamaoka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社電子機材事業本部 Taiyo Nippon sanso corporation Electronics group |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山口 晃 / Akira Yamaguchi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社電子機材事業本部 Taiyo Nippon sanso corporation Electronics group |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 田渕 俊也 / Toshiya Tabuchi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社電子機材事業本部 Taiyo Nippon sanso corporation Electronics group |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 松本 功 / Kou Matumoto |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 大陽日酸イー・エム・シー株式会社 TN EMC LTD. |
| 発表年月日 | 2012-11-29 |
| 資料番号 | ED2012-69,CPM2012-126,LQE2012-97 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 328 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |