| 講演名 | 2012-10-18 Si CMOS基板上ミリ波帯スパイラルインダクタとキャパシタの電磁界解析および実測評価(学生研究発表会,学生研究会/マイクロ波一般) 住田 崇史, 平野 拓一, 岡田 健一, 広川 二郎, 安藤 真, |
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| 抄録(和) | RF回路設計に必須な基本素子の1つであるミリ波帯オンチップスパイラルインダクタ,MIM(Metal-Insulator-Metal)キャパシタの電磁界解析と実測の比較を行った。電磁界シミュレーターには有限要素法に基づくAnsoft HFSSを用いた。マイクロストリップ線路の励振モデルとしてLumped Port(電圧給電),WavePort(導波管給電)、およびそれらにThru-Line De-embbedingの手法を用いることで励振モデルによる影響を考察し実測との比較を行った。 Thru-Line De-embeddingを用いた結果はLumped Port、Wave Port給電のどちらでもSパラが一致し、実測値と良好な一致が見られた。 |
| 抄録(英) | The electromagnetic (EM) modeling and EM simulation technique are discussed for an on-chip spiral inductor and a MIM capacitor in the millimeter-wave band. Simulated results using the finite element method based simulator Ansoft HFSS were compared with measured ones. S-parameters of lumped ports and wave ports excitation modeling were compared and discussed. Thru-Line de-embedding technique was also applied to the result with lumped and wave port analysis model. S-parameters with Thru-Line de-embedding technique agreed very well with the measured ones. |
| キーワード(和) | スパイラルインダクタ / MIMキャパシタ / ミリ波 / CMOS / 電磁界解析 / De-embedding |
| キーワード(英) | Spiral inductor / MIM capacitor / Millimeter-wave / CMOS / Electromagnetic simulation / De-embedding |
| 資料番号 | MW2012-89 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2012/10/11(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si CMOS基板上ミリ波帯スパイラルインダクタとキャパシタの電磁界解析および実測評価(学生研究発表会,学生研究会/マイクロ波一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electromagnetic Analysis and Measurement of a Spiral Inductor and Capacitor on a Silicon CMOS Substrate in the Millimeter-wave Band |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | スパイラルインダクタ / Spiral inductor |
| キーワード(2)（和/英） | MIMキャパシタ / MIM capacitor |
| キーワード(3)（和/英） | ミリ波 / Millimeter-wave |
| キーワード(4)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(5)（和/英） | 電磁界解析 / Electromagnetic simulation |
| キーワード(6)（和/英） | De-embedding / De-embedding |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 住田 崇史 / Takashi SUMIDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻 Dept. of Electrical and Electronic Eng., Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 平野 拓一 / Takuichi HIRANO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学理工学研究科国際開発工学専攻 Dept. of International Development Eng., Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岡田 健一 / Kenichi Okada |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻 Dept. of Physical Electronics., Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 広川 二郎 / Jiro Hirokawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻 Dept. of Electrical and Electronic Eng., Tokyo Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 安藤 真 / Makoto Ando |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻 Dept. of Electrical and Electronic Eng., Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2012-10-18 |
| 資料番号 | MW2012-89 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 251 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |