講演名 | 2012-10-18 四分の一波長インピーダンス変換回路を用いない広帯域ドハティ電力増幅器の設計及び試作(学生研究発表会,学生研究会/マイクロ波一般) 渡邉 真太朗, 高山 洋一郎, 石川 亮, 本城 和彦, |
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抄録(和) | マイクロ波ドハティ増幅器は,キャリア増幅器(CA)とピーク増幅器(PA),及びλ/4インピーダンス変換回路により構成されている.本報告では,このλ/4インピーダンス変換回路を用いない広帯域マイクロ波ドハティ増幅器を提案する.キャリア増幅器は低/高入力の2条件における最適負荷設計を行い,ピーク増幅器はオフ時出力インピーダンスのほぼ短絡化かつ飽和出力時の最適負荷設計を行った.AlGaN/GaN HEMTを用いた1.9GHz帯直列負荷接続型ドハティ増幅器を設計及び試作し,小型化の実現と300MHz帯域で電力付加効率48%以上,1.77GHzにおいて,最大電力付加効率59%,最大トレイン効率62%,最大出力電力34dBm,飽和出力電力から11dB入力バックオフ点において,電力付加効率51%,出力電力29dBmが得られた. |
抄録(英) | The microwave Doherty amplifier consists of a carrier amplifier (CA), a peaking amplifier (PA) and a quarter-wave impedance inverting network. In this paper, a new Doherty power amplifier topology without a quarter-wave impedance inverting network is proposed. This topology enables the enhancement of amplifier bandwidth and achieves a more compact amplifier size. In order to remove an inverting network, the output matching network of the carrier amplifier is designed to realize high performance both at a low RF level in the off-state of a peaking amplifier and at the RF saturation level. A 1.9GHz series-connection-type Doherty amplifier without a quarter-wave impedance inverting network was designed and fabricated using GaN HEMTs. The amplifier achieved a power added efficiency (PAE) of 51% at an output power of 29dBm under an 11dB input back-off from a 34dBm saturated output power with a power added efficiency of 59%. A maximum PAE higher than 48% was obtained over a frequency range of 1.67 to 1.97GHz. |
キーワード(和) | ドハティ増幅器 / マイクロ波 / 電力増幅器 / GaN HEMT / 直列負荷接続型 / 広帯域 |
キーワード(英) | Doherty Amplifier / microwave / power amplifier / GaN HEMT / series connected load type / broadband |
資料番号 | MW2012-82 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | MW |
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開催期間 | 2012/10/11(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 四分の一波長インピーダンス変換回路を用いない広帯域ドハティ電力増幅器の設計及び試作(学生研究発表会,学生研究会/マイクロ波一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | A Broadband Doherty Power Amplifier Without a Quarter-Wave Impedance Inverting Network |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | ドハティ増幅器 / Doherty Amplifier |
キーワード(2)(和/英) | マイクロ波 / microwave |
キーワード(3)(和/英) | 電力増幅器 / power amplifier |
キーワード(4)(和/英) | GaN HEMT / GaN HEMT |
キーワード(5)(和/英) | 直列負荷接続型 / series connected load type |
キーワード(6)(和/英) | 広帯域 / broadband |
第 1 著者 氏名(和/英) | 渡邉 真太朗 / Shintaro WATANABE |
第 1 著者 所属(和/英) | 電気通信大学 The University of Electro-Communications |
第 2 著者 氏名(和/英) | 高山 洋一郎 / Yoichiro TAKAYAMA |
第 2 著者 所属(和/英) | 電気通信大学 The University of Electro-Communications |
第 3 著者 氏名(和/英) | 石川 亮 / Ryo ISHIKAWA |
第 3 著者 所属(和/英) | 電気通信大学 The University of Electro-Communications |
第 4 著者 氏名(和/英) | 本城 和彦 / Kazuhiko HONJO |
第 4 著者 所属(和/英) | 電気通信大学 The University of Electro-Communications |
発表年月日 | 2012-10-18 |
資料番号 | MW2012-82 |
巻番号(vol) | vol.112 |
号番号(no) | 251 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |