| 講演名 | 2012-10-17 CTAB/Siヘテロ接合試料の電気特性(デバイス・評価,有機デバイス全般・一般) 出口 陽子, 田口 真理, 小澤 あつみ, 今井 元, |
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| 抄録(和) | 我々は有機材料によるp-nホモ接合を実現することを目的とし,界面活性剤であるCetyl Trimethyl Ammonium Bromide:CTABと,不純物にヨウ化カリウム:KIを用いて試料を作製している.これまで、抵抗率、その温度依存性,光導電性などの測定を行い,半導体的性質を検討してきた.また、CTAB試料でホモ接合試料を作製し、ダイオード特性が得られた.CTAB試料がp型,n型に作り分けられているかを確認するために,これまでGaAsを用い,ヘテロ接合を作製し特性の検討を試みた.今回さらにSiを用いて,p-C_<16>TAB/n-Siとn-C_<16>TAB/p-Siの2種類のヘテロ接合試料を作製した.作製した試料のI-V特性を測定し,特性評価を行った.また,ヘテロ接合試料のバンド構造の検討を行い,GaAsで得れらた電子親和力の値2.6eVとほぼ同じ,約2.5eVが推定できた.さらに,その電子親和力の値を用いて,C_<16>TABのフェルミ準位の検討を行った. |
| 抄録(英) | We have used a surfactant material of Cetyl Trimethyl Ammonium Bromide: CTAB as an organic material. We have already evaluated the electrical and optical properties of this material, such as the resistivity, its temperature dependence, and the spectral dependence of the photoconductivity. Furthermore, we made the homo-junction sample of CTAB materials. The I-V characteristics were reported to be very similar to the inorganic p-n homo-junction diode characteristics. We fabricated two different the hetero-structure diodes using p-C_<16>TAB/n-Si and n-C_<16>TAB/p-Si. We measured I-V characteristics to evaluate the diode performance of them. Moreover, from the I-V characteristics, we estimated the electron affinity of C_<16>TAB. Further, we considered the Fermi-level of C_<16>TAB using the value of the electron affinity. |
| キーワード(和) | 有機材料 / 有機/無機ヘテロ接合 |
| キーワード(英) | Organic material / The hetero-structure diodes |
| 資料番号 | OME2012-46 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2012/10/10(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | CTAB/Siヘテロ接合試料の電気特性(デバイス・評価,有機デバイス全般・一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical property of CTAB/Si hetero-structures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機材料 / Organic material |
| キーワード(2)（和/英） | 有機/無機ヘテロ接合 / The hetero-structure diodes |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 出口 陽子 / Yoko DEGUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本女子大学理学部 Faculty of Science, Japan Women's University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田口 真理 / Mari TAGUCHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本女子大学理学部 Faculty of Science, Japan Women's University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小澤 あつみ / Atsumi OZAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本女子大学理学部 Faculty of Science, Japan Women's University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 今井 元 / Hajime IMAI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本女子大学理学部 Faculty of Science, Japan Women's University |
| 発表年月日 | 2012-10-17 |
| 資料番号 | OME2012-46 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 244 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |