| 講演名 | 2012-10-17 有機FET内の電界評価に対するグレインサイズの影響(デバイス・評価,有機デバイス全般・一般) 松原 幸平, 間中 孝彰, 田口 大, 岩本 光正, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 有機デバイス内のキャリア輸送を評価する上で重要となる電界分布は、電界誘起光第2次高調波発生(EFISHG)法によって評価できる。このEFISHGは、材料中に誘起されるP_i=χ_ |
| 抄録(英) | The electric field distribution which governs carrier behaviors in the organic devices can be evaluated by using the electric field induced second harmonic generation (EFISHG) measurement. The SHG signal strongly depends on the materials used in the devices and the fabrication process of devices. Here, we study the influence of grain size on the evaluation of electric fields in the organic FETs. EFISHG signals generated from fullerene FETs indicated that the film is optically isotropic, whereas that from pentacene FET has small anisotropy. The main reason of this difference in the SHG is ascribed to the grain size, where the grain size of the vacuum deposited fullerene and pentacene film are approximately 20nm and 500nm, respectively. |
| キーワード(和) | 光第2次高調波発生(SHG) / 有機FET / 電界分布 |
| キーワード(英) | Optical second harmonic generation / Organic FET / Electric field distribution |
| 資料番号 | OME2012-45 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
|---|---|
| 開催期間 | 2012/10/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 有機FET内の電界評価に対するグレインサイズの影響(デバイス・評価,有機デバイス全般・一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Influence of grain size on evaluation of the electric field in the organic FET |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光第2次高調波発生(SHG) / Optical second harmonic generation |
| キーワード(2)（和/英） | 有機FET / Organic FET |
| キーワード(3)（和/英） | 電界分布 / Electric field distribution |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松原 幸平 / Kohei Matsubara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科 Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 間中 孝彰 / Takaaki Manaka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科 Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 田口 大 / Dai Taguchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科 Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岩本 光正 / Mitsumasa Iwamoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科 Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2012-10-17 |
| 資料番号 | OME2012-45 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 244 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |