講演名 2012-10-27
パルス電流法によるBi-2212接合スタックの接合数評価(薄膜プロセス・材料,一般)
加藤 孝弘, 西方 翼, 小瀧 侑央, 末松 久幸, 安井 寛治, 川上 彰,
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抄録(和) Bi_2Sr_2CaCu_2O_x(Bi-2212)の特異な結晶構造に起因する固有Josephson接合を利用したテラヘルツ発振に関する研究が精力的に進められている.我々は,素子作製の際に接合表面に劣化を伴わない利点をもつ両面加工法を用い内部接合スタック作製し,THz発振に関する研究を進めてきた.発振特性の理解には接合面積,接合数の評価が重要となる.本研究では,内部スタック構造をもつ固有ジョセフソン素子の接合数を見積もるためにパルス電流を用いた電流-電圧特性を行い,見積もられた接合数から発振特性について検討した.
抄録(英) Coherent THz emission from Bi_2Sr_2CaCu_2O_<8+δ> intrinsic Josephson junction (Bi-2212 IJJ) with a large mesa type structure has been reported by several groups. We have studied fabrication process of a Bi-2212 IJJ oscillator on-chip coupled to a Bi-2212 IJJ detector by using a double-side patterning process without a surface degradation. It is very important to investigate the lateral dimension and the number of junctions of the IJJs stack in order to understand a mechanism of radiation from the Bi-2212 IJJs. In this study, we report a detailed study on pulse current method to estimate the number of junctions in the IJJs stack and consider an oscillation characteristic.
キーワード(和) Bi_2Sr_2CaCu_2O_<8+δ> / 固有ジョセフソン接合 / テラヘルツ発振
キーワード(英) Bi_2Sr_2CaCu_2O_<8+δ> / Intrinsic Josephson junction / THz oscillation
資料番号 CPM2012-110
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2012/10/19(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) パルス電流法によるBi-2212接合スタックの接合数評価(薄膜プロセス・材料,一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Estimation of the number of junctions in the Bi-2212 stack by pulse current method
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) Bi_2Sr_2CaCu_2O_<8+δ> / Bi_2Sr_2CaCu_2O_<8+δ>
キーワード(2)(和/英) 固有ジョセフソン接合 / Intrinsic Josephson junction
キーワード(3)(和/英) テラヘルツ発振 / THz oscillation
第 1 著者 氏名(和/英) 加藤 孝弘 / Takahiro Kato
第 1 著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学工学部電気系
Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 西方 翼 / Tsubasa Nishikata
第 2 著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学工学部電気系
Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 小瀧 侑央 / Yukio Kotaki
第 3 著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学工学部電気系
Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology
第 4 著者 氏名(和/英) 末松 久幸 / Hisayuki Suematsu
第 4 著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学工学部電気系
Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology
第 5 著者 氏名(和/英) 安井 寛治 / Kannji Yasui
第 5 著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学工学部電気系
Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology
第 6 著者 氏名(和/英) 川上 彰 / Akira Kawakami
第 6 著者 所属(和/英) 情報通信研究機構
Kobe Advanced ICT Research Center, National Insitute of Information and Communications Technology
発表年月日 2012-10-27
資料番号 CPM2012-110
巻番号(vol) vol.112
号番号(no) 265
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日