| 講演名 | 2012-10-27 熱処理法によるSrAl_2O_4:Eu,Dy薄膜用下地膜の検討(薄膜プロセス・材料,一般) 小林 和晃, 清水 英彦, 岩野 春男, 福嶋 康夫, 川上 貴浩, |
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| 抄録(和) | 本研究では,マグネトロンスパッタ法により,室温にて酸化Al下地膜を堆積させた後,対向ターゲット式スパッタ法により室温にてSrAl_2O_4:Eu,Dy薄膜を堆積させ,その後,約50PaのAr+5%H_2の還元雰囲気中にて1000℃,1時間の熱処理を行う方法により,酸化Al下地膜の作製条件の違いによる薄膜の特性の検討を行った。その結果,酸化Al下地膜堆積時の酸素分圧や膜厚を調整することで,結晶性やPL特性を劣化させること無く,膜と基板の剥離や亀裂が抑制に有効であることが分かった。 |
| 抄録(英) | In order to examine characteristics of the thin films, SrAl_2O_4:Eu, Dy thin films were attempted by post-annealing in Ar+5%H_2 about 50 Pa of the films deposited using the facing target sputtering (FTS) method in room temperature on the oxidized Al underlayer deposited by the magnetron sputtering (MS) method in room temperature. As a result, adjustment of thickness with oxided Al underlayer and oxygen partial pressure, when oxidized Al underlayer was deposited, was effective improvement of crystallinity and photoluminescence, and suppression of detachment and crack. |
| キーワード(和) | SrAl_2O_4:Eu / Dy薄膜 / 酸化Al下地膜 / 長残光性蛍光体 / スパッタ法 |
| キーワード(英) | SrAl_2O_4: Eu / Dy thin films / oxidized Al underlayer / long-lasting phosphorescence / sputtering methods |
| 資料番号 | CPM2012-105 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2012/10/19(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 熱処理法によるSrAl_2O_4:Eu,Dy薄膜用下地膜の検討(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Examination of underlayer for SrAl_2O_4:Eu, Dy thin films by annealing methods |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SrAl_2O_4:Eu / SrAl_2O_4: Eu |
| キーワード(2)（和/英） | Dy薄膜 / Dy thin films |
| キーワード(3)（和/英） | 酸化Al下地膜 / oxidized Al underlayer |
| キーワード(4)（和/英） | 長残光性蛍光体 / long-lasting phosphorescence |
| キーワード(5)（和/英） | スパッタ法 / sputtering methods |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小林 和晃 / Kazuaki KOBAYASHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 新潟大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Science and Technology, Niigata University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 清水 英彦 / Hidehiko SHIMIZU |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岩野 春男 / Haruo IWANO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 福嶋 康夫 / Yasuo FUKUSHIMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 川上 貴浩 / Takahiro KAWAKAMI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 発表年月日 | 2012-10-27 |
| 資料番号 | CPM2012-105 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 265 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |