| 講演名 | 2012-10-26 Ni/Si系におけるモノシリサイドとジシリサイドのマルチフェーズ形成(薄膜プロセス・材料,一般) 野矢 厚, 武山 真弓, 佐藤 勝, 徳田 奨, |
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| 抄録(和) | Ni/Si固相反応系におけるシリサイド形成を調べた。通常この系では反応温度の増加に伴ってNiaSi→NiSi→NiSi_2の順に相形成がなされるが、これはNiが拡散種であり、拡散に伴うアモルファス合金組成がNi-Si系2元相図に存在する1番深い共晶点(46at.%Si:964℃)に近い組成となったところからNi_2Siが初期形成されることによる。そこで、よりSi-richな2番目の共晶点(56.2at.%Si:966℃)を意図的に作ることを目的に、基板温度を350℃としてNiを堆積することにより、Niの組成勾配を持った拡散層をあらかじめ作り、引き続き400℃で熱処理することによりNiSiのSi基板側にNiSi_2が共存する形態でマルチフェーズを実現できた。このことは、NiSi→NiSi_2への相転移が、この相の凝縮に律速されているという過程のみでなくkineticsにも依存していることを示すことができた。 |
| 抄録(英) | Suicides nucleation in a Ni/Si system was investigated. In this system, generally, a phase sequence of Ni_2Si→NiSi→NiSi_2 is found by increasing the reaction temperature. This is due to diffusion of Ni as a diffusing species into Si. The Ni diffusion brings about the formation of an amorphous alloy with a composition around the deepest eutectic point (46at.%Si:964℃), from which a Ni_2Si phase nucleates. Then, we try to form the second deepest eutectic composition (56.2at.%Si:966℃) artificially in the interfacial layer with a Ni concentration gradient in a Ni/Si system specimen by depositing a Ni layer at 350℃. Then, the annealing of the specimen at 400℃ successfully forms multi-phases of NiSi and NiSi_2 located between the NiSi layer and Si. This suggests that the phase transition from NiSi to NiSi_2 occurs not only by the nucleation limited process but also by some kinetic constraint. |
| キーワード(和) | Niシリサイド / NiSi / NiSi_2 / マルチフェーズ / 相転移 |
| キーワード(英) | Ni-silicides / NiSi / NiSi_2 / multi-phases / phase transition |
| 資料番号 | CPM2012-102 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2012/10/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Ni/Si系におけるモノシリサイドとジシリサイドのマルチフェーズ形成(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of multi-phases of monosilicide and disilicide in a Ni/Si system |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Niシリサイド / Ni-silicides |
| キーワード(2)（和/英） | NiSi / NiSi |
| キーワード(3)（和/英） | NiSi_2 / NiSi_2 |
| キーワード(4)（和/英） | マルチフェーズ / multi-phases |
| キーワード(5)（和/英） | 相転移 / phase transition |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 野矢 厚 / Atsushi NOYA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering Kitami institute of technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 武山 真弓 / Mayumi B. TAKEYAMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering Kitami institute of technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐藤 勝 / Masaru SATO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering Kitami institute of technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 徳田 奨 / Susumu TOKUDA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部技術部 Technical Division Kitami institute of technology |
| 発表年月日 | 2012-10-26 |
| 資料番号 | CPM2012-102 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 265 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |