| 講演名 | 2012-10-26 MOVPE法により作製したSi基板上GaPの界面形状(薄膜プロセス・材料,一般) 高木 達也, 宮原 亮, 高野 泰, |
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| 抄録(和) | 有機金属気相成長法によりSi基板上にGaPを結晶成長させた。Si基板に2,4°オフ基板を使用した。成長温度を830℃とし、Ga原料(トリメチルガリウム)とPH_3(フォスフィン)を供給してGaPを成長させた。成長層を原子間力顕微鏡と透過電子顕微鏡で観察した。GaPを20nm程度堆積し、原子間力顕微鏡で観察すると、20nm以上の凹部が観察される事があった。断面TEM観察した結果、Si表面が窪んでいる事が明らかになった。いくつかの成長条件で作製したGaP/Si界面を調べた。その結果、適切な成長速度でGaPを成長させる事が必要である事が分かった。 |
| 抄録(英) | GaP layers were grown on Si substrates 2°or 4°-misoriented toward (011) using metalorganic vapor phase epitaxy. The substrates were heated in a H_2 flow before GaP nucleation. Growth was initiated by supplying Triethylgallium and PH_3. The structures were characterized using atomic force microscopy (AFM) and transmission electron microscopy (TEM). Pits were found in several 20-nm thick GaP layers on Si substrates. The depth of a pit was over the thickness of the GaP layer. TEM observation confirmed that the pits penetrated the Si substrate. The pits depended on growth rate, reactor pressure, and PH_3 flow rate. |
| キーワード(和) | MOVPE / GaP / シリコン基板上 / ピット / アンチフェイズドメイン / 原子間力顕微鏡 / 透過電子顕微鏡 |
| キーワード(英) | MOVPE / GaP / Si substrate / pit / atomic force microscopy / transmission electron microscopy |
| 資料番号 | CPM2012-101 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2012/10/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOVPE法により作製したSi基板上GaPの界面形状(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Interface between GaP and Si substrates prepared using metalorganic vapor phase epitaxy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(2)（和/英） | GaP / GaP |
| キーワード(3)（和/英） | シリコン基板上 / Si substrate |
| キーワード(4)（和/英） | ピット / pit |
| キーワード(5)（和/英） | アンチフェイズドメイン / atomic force microscopy |
| キーワード(6)（和/英） | 原子間力顕微鏡 / transmission electron microscopy |
| キーワード(7)（和/英） | 透過電子顕微鏡 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高木 達也 / Tatsuya TAKAGI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部 Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 宮原 亮 / Ryo MIYAHARA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部 Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 高野 泰 / Yasushi TAKANO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部 Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2012-10-26 |
| 資料番号 | CPM2012-101 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 265 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |