| 講演名 | 2012-10-26 深いボロンイオン注入による自己バイアスチャネルダイオードの耐圧改善(生体,EMC,一般) 工藤 嗣友, 菅原 文彦, 大沼 孝一, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 3端子動作のチャネルダイオードに自己バイアス効果を導入したDMOS型自己バイアスチャネルダイオードが提案されている.このダイオードは、低損失でかつ熱暴走しにくい良好な特性を持つ一方,ボディ短絡構造を採用していないので,耐圧改善が必要とされている.この要求に応えるために,本研究ではデバイスのアノード側の2重拡散不純物領域に,更にセルファラインプロセスによるピーク密度7×10^<19>/cm^3の深いボロンイオン注入を追加した不純物プロファイルを検討した.その結果,順方向特性に悪影響を与えること無く,通常の2重拡散構造で得られた耐圧値-14.7(V)に対して,-27.2(V)と約13(V)程度の耐圧改善が可能であることを3Dデバイスシミュレータにより確認したので報告する. |
| 抄録(英) | We have previously proposed a DMOS self-biased channel diode incorporating a self-bias effect in a channel diode with three-terminal operation. The proposed diode exhibits good characteristics with low loss and resistance to thermal runaway. However, since it does not have a body-shorted structure, an improved breakdown voltage is deemed necessary. In the present study, we investigated the effects of additional impurity profiling by self-aligned deep implantation of boron ions with a peak density of 7×10^<19>/cm^3 in the double-diffusion impurity region on the anode side of the device. In 3D device simulations, this was shown to provide a breakdown voltage of -27.2(V), an improvement of approximately 13(V) from the value of -14.7(V) obtained with the ordinary double-diffusion structure, without adversely affecting the forward characteristics. |
| キーワード(和) | DMOS型 / 自己バイアスチャネルダイオード / 深いボロンイオン注入 / 耐圧改善 / 3Dシミュレーション |
| キーワード(英) | DMOS-type / Self-biased channel diode / deep Boron ion implantation / improvement of breakdown voltage / 3D-simulation |
| 資料番号 | EMCJ2012-79,EST2012-63 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EST |
|---|---|
| 開催期間 | 2012/10/18(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Simulation Technology (EST) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 深いボロンイオン注入による自己バイアスチャネルダイオードの耐圧改善(生体,EMC,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement of breakdown voltage for Self-biased Channel Diode by deep boron ion implantation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | DMOS型 / DMOS-type |
| キーワード(2)（和/英） | 自己バイアスチャネルダイオード / Self-biased channel diode |
| キーワード(3)（和/英） | 深いボロンイオン注入 / deep Boron ion implantation |
| キーワード(4)（和/英） | 耐圧改善 / improvement of breakdown voltage |
| キーワード(5)（和/英） | 3Dシミュレーション / 3D-simulation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 工藤 嗣友 / Tsugutomo KUDOH |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 神奈川工科大学工学部 Faculty of Engineering, Kanagawa Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 菅原 文彦 / Fumihiko SUGAWARA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北学院大学工学部 Faculty of Engineering, Tohoku Gakuin University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大沼 孝一 / Koichi OHNUMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北学院大学工学部 Faculty of Engineering, Tohoku Gakuin University |
| 発表年月日 | 2012-10-26 |
| 資料番号 | EMCJ2012-79,EST2012-63 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 257 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |