| 講演名 | 2012-10-19 自己組織化ポリマーを用いた5Tdot/inch^2ビットパターンドメディアの作製(ヘッド・スピントロニクス、一般) 鎌田 芳幸, 前田 知幸, 稗田 泰之, 山本 亮介, 木原 尚子, 喜々津 哲, |
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| 抄録(和) | HDDの大容量化を実現するため、自己組織化リングラフィー技術を用いたビットパターンドメディアの作製を検討している。5Tdot/inch^2の密度では、ビットの大きさが8nm以下という超微細ビットをディスク上に作製する事になる。記録ビットがあまりにも小さいため、記録が室温で揺らいで消えてしまう現象を打破できる高磁気異方性エネルギー材料L_<10> FePt磁性膜を用い、12nmピッチの自己組織化材料で形成したマスクでエッチングした5Tb/in^2密度のFePt BPMを作製した。作製したFePt BPMは、保磁力6kOeと小さく、ドット反転磁界分散は21%と大きかった。エッチングダメージでKu劣化部位が生じるのが原因だと推測される。 |
| 抄録(英) | FePt bit patterned media (BPM) was fabricated with a self-assembled polymer mask with 12nm pitch (equivalent to 5 Tdot/inch2). A 3.2nm FePt film with high c axis crystal orientation was prepared for the magnetic recording layer. A solvent vapor annealing was applied for uniform directed self-assembling of PS (Polystyrene)-PDMS (polydimethylsiloxane) diblock copolymer. Pattern transfer from a polymer mask to FePt layer was successfully achieved by employing a C hard mask. In spite of excellent magnetic characteristics of FePt layer, the fabricated FePt BPM showed small coercivity (Hc) of 6kOe and large switching field distribution (SFD) of 21%. These results are due to the etching damage of FePt dots. Disordering of FePt L10 phase by the etching damage reduced magnetic anisotropy energy (Ku). |
| キーワード(和) | ビットパターンドメディア / 自己組織化 / 磁気記録装置 |
| キーワード(英) | bit patterned media / FePt / diblock copolymer / directed self-assembly / switching field distribution / HDD |
| 資料番号 | MR2012-25 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MR |
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| 開催期間 | 2012/10/11(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Magnetic Recording (MR) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 自己組織化ポリマーを用いた5Tdot/inch^2ビットパターンドメディアの作製(ヘッド・スピントロニクス、一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 5Tb/in^2 Bit Patterned Media Fabricated by a Directed Self-Assembling Polymer Mask |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ビットパターンドメディア / bit patterned media |
| キーワード(2)（和/英） | 自己組織化 / FePt |
| キーワード(3)（和/英） | 磁気記録装置 / diblock copolymer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鎌田 芳幸 / Yoshiyuki Kamata |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Toshiba Corporation, Corporate R&D Center |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 前田 知幸 / Tomoyuki Maeda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Toshiba Corporation, Corporate R&D Center |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 稗田 泰之 / Hiroyuki Hieda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Toshiba Corporation, Corporate R&D Center |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山本 亮介 / Ryosuke Yamamoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Toshiba Corporation, Corporate R&D Center |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 木原 尚子 / Naoko Kihara |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Toshiba Corporation, Corporate R&D Center |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 喜々津 哲 / Akira Kikitsu |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Toshiba Corporation, Corporate R&D Center |
| 発表年月日 | 2012-10-19 |
| 資料番号 | MR2012-25 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 249 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |