| 講演名 | 2012-10-26 塩素フリー溶液を用いたゾルゲル・硫化法によるCu_2ZnSnS_4薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般) 佐久間 広太, 田中 久仁彦, 相澤 卓実, 中野 裕也, 打木 久雄, |
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| 抄録(和) | ゾルゲル・硫化法を用いて作製したCu_2ZnSnS_4(CZTS)薄膜太陽電池は、真空中で作製したものと比較するとF.F.の値が小さく、変換効率が低い。その原因の一つとして、金属源に塩化物を用いているため、CZTS成膜後不純物として塩素が残っていることが挙げられる。そこで全ての金属に対して塩素を含まないものを使用した溶液でCZTS薄膜を作製した。SLG上では塩素を含んだ膜より膜厚の分布、表面の析出物が減少した。Mo上ではCZTSとMoの間に中間層が生じた。 |
| 抄録(英) | CZTS thin films solar cells prepared by sol-gel sulfurization had smaller F.F. and lower efficiency compared with those cells prepared under vacuum process. One of the reasons of the small F.F. is due to impurity in the CZTS absorber layer because impurities promote recombination of photo-induced carriers. Our CZTS thin films contained Cl is impurity since the Sn source was chloride. Therefore, CZTS thin films were prepared by sol-gel sulfurization with Cl free coating solutions. On SLG substrates, CZTS film thickness distribution and segregation besides CZTS at surface were reduced. However, on Mo substrates. an interfacial layer between CZTS and Mo was observed. |
| キーワード(和) | Cu_2ZnSnS_4 / CZTS / 太陽電池 / ゾルゲル・硫化法 / 塩素フリー |
| キーワード(英) | Cu_2ZnSnS_4 / CZTS / Solar Cell / Sol-Gel and Sulfurization Method / Cl free |
| 資料番号 | CPM2012-98 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2012/10/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 塩素フリー溶液を用いたゾルゲル・硫化法によるCu_2ZnSnS_4薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation of Cu_2ZnSnS_4 thin film by sol-gel sulfurization method with Cl free coating solutions |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cu_2ZnSnS_4 / Cu_2ZnSnS_4 |
| キーワード(2)（和/英） | CZTS / CZTS |
| キーワード(3)（和/英） | 太陽電池 / Solar Cell |
| キーワード(4)（和/英） | ゾルゲル・硫化法 / Sol-Gel and Sulfurization Method |
| キーワード(5)（和/英） | 塩素フリー / Cl free |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐久間 広太 / Kota SAKUMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学電気電子情報工学専攻 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田中 久仁彦 / Kunihiko TANAKA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学電気電子情報工学専攻 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 相澤 卓実 / Takumi AIZAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学電気電子情報工学専攻 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中野 裕也 / Yuya NAKANO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学電気電子情報工学専攻 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 打木 久雄 / Hisao UCHIKI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学電気電子情報工学専攻 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 発表年月日 | 2012-10-26 |
| 資料番号 | CPM2012-98 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 265 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |