| 講演名 | 2012-10-26 スパッタ法によるAZO薄膜の抵抗率の検討(薄膜プロセス・材料,一般) 名越 克仁, 富口 祐輔, 清水 英彦, 岩野 春男, 川上 貴浩, 福嶋 康夫, 永田 向太郎, 坪井 望, 野本 隆宏, |
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| 抄録(和) | 本研究では,市販ターゲットを用い,低電圧でのスパッタが可能なRF-DC結合形スパッタ法による膜堆積時の基板温度変化や堆積後の熱処理によって,作製されるAZO薄膜に及ぼす影響の検討を行った。その結果,基板温度を上昇させることにより,膜の結晶性が向上するのに対し,熱処理による結晶性の大きな向上は得られなかった。また,本研究にて作製した膜は,移動度が小さいことから,約1×10^<-3>Ω・cmとITO膜などに比べ,大きな値であった。 |
| 抄録(英) | We examined the effects of the substrate temperature and post-annealing in vacuum less than 2.0×10^<-6> Torr of AZO thin films prepared by the RF-DC coupled MS method and using a commercial target. As a result, the crystallinity of the films was improved by increasing the substrate temperature, but post-annealing in vacuum of AZO thin films was not effective. AZO film of lowest resistivity in this study had about 1×10^<-3>Ω・cm. However, resistivity of that film is a large resistivity compared with resistivity of general ITO films. This is caused by low mobility of that film. |
| キーワード(和) | ZnO系透明導電膜 / RF-DC結合形スパッタ法 / AZO / 抵抗率 |
| キーワード(英) | ZnO thin films / RF-DC coupled MS method / AZO / Resistivity |
| 資料番号 | CPM2012-95 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2012/10/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | スパッタ法によるAZO薄膜の抵抗率の検討(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Examination of Resistivity of AZO Thin Films Deposited by Sputtering Method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ZnO系透明導電膜 / ZnO thin films |
| キーワード(2)（和/英） | RF-DC結合形スパッタ法 / RF-DC coupled MS method |
| キーワード(3)（和/英） | AZO / AZO |
| キーワード(4)（和/英） | 抵抗率 / Resistivity |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 名越 克仁 / Katsuhito Nagoshi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 新潟大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Science and Technology, Niigata University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 富口 祐輔 / Yusuke Tomiguchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 新潟大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Science and Technology, Niigata University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 清水 英彦 / Hidehiko Shimizu |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岩野 春男 / Haruo Iwano |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 川上 貴浩 / Takahiro Kawakami |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 福嶋 康夫 / Yasuo Fukushima |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 永田 向太郎 / Koutarou Nagata |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 坪井 望 / Nozomu Tsuboi |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 野本 隆宏 / Takahiro Nomoto |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 発表年月日 | 2012-10-26 |
| 資料番号 | CPM2012-95 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 265 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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