| 講演名 | 2012-10-26 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜へのCVD低温バッファー層挿入効果(薄膜プロセス・材料,一般) 小柳 貴寛, 竹澤 和樹, 加藤 孝弘, 片桐 裕則, 神保 和夫, 安井 寛治, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 白金ナノ粒子表面での水素と酸素の発熱反応を利用して高エネルギーH_2Oを生成、アルキル亜鉛ガスと衝突させ形成した高エネルギーZnOプリカーサを基板に供給、ガラス基板上にZnO結晶膜を成長させた。サファイア基板上と異なりガラス基板上への直接成長では結晶配向性や表面モフォロジーが大きく悪化するために低温バッファ一層の挿入により特性が改善出来ないか調べた。結果として、CVDによる低温バッファ一層を挿入することで結晶配向性の改善は見られなかったが、直接成長膜に比べ移動度が大きいZnO膜が得られた。 |
| 抄録(英) | ZnO thin films were grown through a reaction between dimethylzinc and high-energy H_2O produced by a Pt-catalyzed H_2 O_2 reaction. For the application of transparent conductive thin films, the ZnO films were grown on glass substrates with and without low temperature buffer layers deposited at 200℃. Although crystal orientation along c-axis was not improved by the insertion of the buffer layer, Hall mobility was improved. |
| キーワード(和) | ZnO / 触媒反応 / CVD / 表面モフォロジー / 光透過率 / 抵抗率 |
| キーワード(英) | ZnO / catalytic reaction / CVD / surface morphology / optical transparency / resistivity |
| 資料番号 | CPM2012-94 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 2012/10/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜へのCVD低温バッファー層挿入効果(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of a low-temperature buffer layer on the properties of ZnO films grown on glass substrates using catalytically generated high-energy H_2O |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ZnO / ZnO |
| キーワード(2)（和/英） | 触媒反応 / catalytic reaction |
| キーワード(3)（和/英） | CVD / CVD |
| キーワード(4)（和/英） | 表面モフォロジー / surface morphology |
| キーワード(5)（和/英） | 光透過率 / optical transparency |
| キーワード(6)（和/英） | 抵抗率 / resistivity |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小柳 貴寛 / T. Oyanagi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Nagaoka University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 竹澤 和樹 / K. TAKEZAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Nagaoka University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 加藤 孝弘 / T. KATO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Nagaoka University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 片桐 裕則 / H. KATAGIRI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 長岡工業高等専門学校 Nagaoka National College of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 神保 和夫 / K. JINBO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 長岡工業高等専門学校 Nagaoka National College of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 安井 寛治 / K. YASUI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Nagaoka University of Technology |
| 発表年月日 | 2012-10-26 |
| 資料番号 | CPM2012-94 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 265 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |