| 講演名 | 2012-10-12 スイッチング電源の電磁妨害波発生要因(部品・照明・デバイス・材料技術関連,一般) 村田 仁一, 二宮 保, |
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| 抄録(和) | フォワード型スイッチング電源の電磁妨害波について、その発生要因がスイッチング素子オン、オフ時に流れる高周波減衰振動電流であると考える。その根拠は、電磁妨害波スペクトル中のピーク点周波数と高周波減衰振動電流の周波数の一致が実験で確認されたことによる。フォワード型スイッチング電源が発生する電磁妨害波の低減を図るため、高周波減衰振動電流生成の仕組み、及び電磁妨害波と高周波減衰振動電流の関係について考察する。 |
| 抄録(英) | In forward type switched mode power supplies, EMI is considered to occur due to the damped high frequency oscillatory currents at the turn on and turn off of the switching device. This result was experimentally confirmed from the coincidence between the peak point frequency of the EMI spectrum and the frequency of the damped oscillatory current. To make a contribution to the reduction of the EMI in the forward type switched mode power supplies, this paper discusses the mechanism generating the damped high frequency oscillatory currents, and the relationship between the EMI and those currents. |
| キーワード(和) | 電磁妨害波 / スイッチング電源 / 高周波減衰振動電流 |
| キーワード(英) | EMI / Switched Mode Power Supply / High Frequency Oscillatory Current |
| 資料番号 | EE2012-16 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EE |
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| 開催期間 | 2012/10/5(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Energy Engineering in Electronics and Communications (EE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | スイッチング電源の電磁妨害波発生要因(部品・照明・デバイス・材料技術関連,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Causing Factor of Electromagnetic Interference Generated by the Switched Mode Power Suppl |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電磁妨害波 / EMI |
| キーワード(2)（和/英） | スイッチング電源 / Switched Mode Power Supply |
| キーワード(3)（和/英） | 高周波減衰振動電流 / High Frequency Oscillatory Current |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 村田 仁一 / Jinichi MURATA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 二宮 保 / Tamotsu NINOMIYA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 長崎大学大学院工学研究科、TDK寄付講座 TDK Endowed Chair, Graduate School of Engineering, Nagasaki University |
| 発表年月日 | 2012-10-12 |
| 資料番号 | EE2012-16 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 235 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |