講演名 | 2012-08-24 ワンチップWDMレシーバに向けた石英系AWGとGe PDのSiプラットフォーム上モノリシック集積(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般) 西 英隆, 土澤 泰, 高 磊, 開 達郎, 福田 浩, 石川 靖彦, 和田 一実, 山田 浩治, |
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抄録(和) | ECRプラズマCVD法による低温石英膜作製技術を用いて、Si光集積プラットフォーム上に石英系AWGとGePDのモノリシック集積デバイスを作製した。集積したAWGによって全16chの分波に成功し、全出力chに接続されたGePDにおいて1.25Gbps PRBS信号受信と良好なアイ開口が得られることを確認した。さらに、作製した光デバイス上に多チャネルトランスインピーダンスアンプ回路のフリップチップボンディングを行い、将来のワンチップWDMレシーバに向けた光電子集積デバイスの可能性について検討した。 |
抄録(英) | Using low-temperature ECR PECVD technology, a silica-based AWG was monolithically integrated with germanium photodiodes on a Si photonic platform. We confirmed that the integrated AWG successfully demultiplex all of 16-wavelength channels and all of integrated GePDs received 1.25 Gbps PRBS signals with clear eye opening. In addition, we have mounted multi-channel transimpedance amplifiers and limiting amplifiers on the integrated photonic device using flip-chip bonding technology. |
キーワード(和) | シリコンフォトニクス / モノリシック集積 / ECR-CVD / WDM / AWG / Ge PD |
キーワード(英) | Si photonics / monolithic integration / ECR-CVD / WDM / AWG / Ge PD |
資料番号 | R2012-43,EMD2012-49,CPM2012-74,OPE2012-81,LQE2012-47 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | EMD |
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開催期間 | 2012/8/16(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Electromechanical Devices (EMD) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | ワンチップWDMレシーバに向けた石英系AWGとGe PDのSiプラットフォーム上モノリシック集積(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Monolithic Integration of a Silica AWG and Ge PDs on Si Photonic Platform for One-Chip WDM Receiver |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | シリコンフォトニクス / Si photonics |
キーワード(2)(和/英) | モノリシック集積 / monolithic integration |
キーワード(3)(和/英) | ECR-CVD / ECR-CVD |
キーワード(4)(和/英) | WDM / WDM |
キーワード(5)(和/英) | AWG / AWG |
キーワード(6)(和/英) | Ge PD / Ge PD |
第 1 著者 氏名(和/英) | 西 英隆 / Hidetaka NISHI |
第 1 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ NTT Microsystem Integration Labs., NTT Corp.:Nanophotonics Center, NTT Corp. |
第 2 著者 氏名(和/英) | 土澤 泰 / Tai TSUCHIZAWA |
第 2 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ NTT Microsystem Integration Labs., NTT Corp.:Nanophotonics Center, NTT Corp. |
第 3 著者 氏名(和/英) | 高 磊 / Rai KOU |
第 3 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ NTT Microsystem Integration Labs., NTT Corp.:Nanophotonics Center, NTT Corp. |
第 4 著者 氏名(和/英) | 開 達郎 / Tatsuro HIRAKI |
第 4 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ NTT Microsystem Integration Labs., NTT Corp.:Nanophotonics Center, NTT Corp. |
第 5 著者 氏名(和/英) | 福田 浩 / Hiroshi FUKUDA |
第 5 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ NTT Microsystem Integration Labs., NTT Corp.:Nanophotonics Center, NTT Corp. |
第 6 著者 氏名(和/英) | 石川 靖彦 / Yasuhiko ISHIKAWA |
第 6 著者 所属(和/英) | 東京大学マテリアル工学専攻 Department of Material Engineering, University of Tokyo |
第 7 著者 氏名(和/英) | 和田 一実 / Kazumi WADA |
第 7 著者 所属(和/英) | 東京大学マテリアル工学専攻 Department of Material Engineering, University of Tokyo |
第 8 著者 氏名(和/英) | 山田 浩治 / Koji YAMADA |
第 8 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ NTT Microsystem Integration Labs., NTT Corp.:Nanophotonics Center, NTT Corp. |
発表年月日 | 2012-08-24 |
資料番号 | R2012-43,EMD2012-49,CPM2012-74,OPE2012-81,LQE2012-47 |
巻番号(vol) | vol.112 |
号番号(no) | 181 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |