講演名 2012-08-03
多位相発振器による適応パルス幅制御を用いた低電圧・高速磁界結合通信機(アナログ・無線技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
浦野 雄貴, 松原 岳志, 林 勇, ジョハリ アブル・ハサン, 小平 薫, 徐 照男, 黒田 忠広, 石黒 仁揮,
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抄録(和) 本研究では高速近接無線通信のための適応パルス幅制御を用いたパルスベース磁界結合通信機を提案する.適応パルス幅制御器はデジタル制御の多位相アレイ発振器で生成した20位相のクロックを用いて,極低電圧下におけるPVTばらつきによるパルス幅の変動を防ぐ.パルス生成とパルス幅検出を同一の多位相発振器で行うことによって回路面積を削減した. 65nmCMOSを用いて作成したテストチップは電源電圧0.7Vにおいてデータレート850Mb/s/ch,消費電力4.1mWを達成した.
抄録(英) This paper presents a pulse-based inductive-coupling transceiver with adaptive pulse width controller for high-speed wireless proximity communication. Adaptive pulse width controller uses 20 phase clocks generated by a multi-phase digitally-controlled-array-oscillator and prevents the pulse width fluctuation under PVT variation at ultra-low power supply voltage. Pulse generation and its width detection are carried out by the identical multi-phase oscillator, which reduces the circuit area. The test chip implemented in 65nm-CMOS has achieved data rate of 850Mb/s/ch at 0.7V supply voltage and power consumption of 4.1mW.
キーワード(和) 磁界結合 / 極低電圧 / パルス幅制御器 / 高速インターフェース / 近接通信
キーワード(英) inductive-coupling / ultra-low voltage / pulse width controller / high speed interface / proximity communication
資料番号 SDM2012-86,ICD2012-54
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 2012/7/26(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 多位相発振器による適応パルス幅制御を用いた低電圧・高速磁界結合通信機(アナログ・無線技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
サブタイトル(和)
タイトル(英) A Low Voltage High-Speed Inductive-Coupling Transceiver with Adaptive Pulse Width Controller Using Multi-Phase Oscillator
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 磁界結合 / inductive-coupling
キーワード(2)(和/英) 極低電圧 / ultra-low voltage
キーワード(3)(和/英) パルス幅制御器 / pulse width controller
キーワード(4)(和/英) 高速インターフェース / high speed interface
キーワード(5)(和/英) 近接通信 / proximity communication
第 1 著者 氏名(和/英) 浦野 雄貴 / Yuki URANO
第 1 著者 所属(和/英) 慶應義塾大学理工学研究科
Keio University
第 2 著者 氏名(和/英) 松原 岳志 / Takeshi MATSUBARA
第 2 著者 所属(和/英) 慶應義塾大学理工学研究科
Keio University
第 3 著者 氏名(和/英) 林 勇 / Isamu HAYASHI
第 3 著者 所属(和/英) STARC極低電力LSIラボラトリー
Extremely Low Power R&D Dept, STARC
第 4 著者 氏名(和/英) ジョハリ アブル・ハサン / Abul Hasan Johari
第 4 著者 所属(和/英) 慶應義塾大学理工学研究科
Keio University
第 5 著者 氏名(和/英) 小平 薫 / Kaoru KOHIRA
第 5 著者 所属(和/英) 慶應義塾大学理工学研究科
Keio University
第 6 著者 氏名(和/英) 徐 照男 / Teruo Jo
第 6 著者 所属(和/英) 慶應義塾大学理工学研究科
Keio University
第 7 著者 氏名(和/英) 黒田 忠広 / Tadahiro KURODA
第 7 著者 所属(和/英) 慶應義塾大学理工学研究科
Keio University
第 8 著者 氏名(和/英) 石黒 仁揮 / Hiroki ISHIKURO
第 8 著者 所属(和/英) 慶應義塾大学理工学研究科
Keio University
発表年月日 2012-08-03
資料番号 SDM2012-86,ICD2012-54
巻番号(vol) vol.112
号番号(no) 170
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日