講演名 2012-08-03
357Mb/sスループットを実現する1V 90nm TransferJet^向けSoC(アナログ・無線技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
田村 昌久, 近藤 史隆, 渡部 勝己, 青木 泰憲, 四戸 雄介, 内野 浩基, 橋本 有平, 西山 文浩, 宮地 宏明, 永瀬 郁穂, 上薗 格, 寿村 理恵, 前川 格,
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抄録(和) 近接高速無線通信規格TransferJet^向けのRFトランシーバ,物理レイヤ,コネクションレイヤ,およびSDIO3.0インタフェースを含むSoCを開発した. 90nm CMOSプロセスを使用し, 16.2mm^2の面積を占める. 522Mb/sの物理レートにおける受信感度は-70.9dBm,実効スループットは357Mb/sを実現した. 1Vと1.8Vの電源を使用し, SoC全体の消費電力は, 222mW(連続受信時), 109mW(連続送信時), 299μW(間欠受信時平均)である.受信時のエネルギー効率は0.43nJ/bitである.
抄録(英) The first SoC for TransferJet^ which integrates PHY including an RF transceiver with balun and T/R switch, Connection Layer and SDIO 3.0 device controller occupies 16.2mm^2 in a 90nm CMOS process. The SoC achieves a sensitivity of -70dBm at a data rate of 522Mb/s, and an effective throughput of 357Mb/s. From 1V and 1.8V supplies, the SoC consumes 222mW in continuous RX, 109mW in continuous TX and 299μW average power in intermittent receiving mode. The RX energy efficiency is 0.43nJ/b.
キーワード(和) TransferJet / SoC / CMOS / 近接無線通信 / UWB / エネルギー効率 / トランシーバ
キーワード(英) TransferJet / SoC / CMOS / Close-Proximity Wireless Communication / UWB / Energy Efficiency / Transceiver
資料番号 SDM2012-85,ICD2012-53
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 2012/7/26(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 357Mb/sスループットを実現する1V 90nm TransferJet^向けSoC(アナログ・無線技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
サブタイトル(和)
タイトル(英) A 1V 357Mb/s-Throughput TransferJet^ SoC with Embedded Transceiver and Digital Baseband in 90nm CMOS
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) TransferJet / TransferJet
キーワード(2)(和/英) SoC / SoC
キーワード(3)(和/英) CMOS / CMOS
キーワード(4)(和/英) 近接無線通信 / Close-Proximity Wireless Communication
キーワード(5)(和/英) UWB / UWB
キーワード(6)(和/英) エネルギー効率 / Energy Efficiency
キーワード(7)(和/英) トランシーバ / Transceiver
第 1 著者 氏名(和/英) 田村 昌久 / Masahisa TAMURA
第 1 著者 所属(和/英) ソニー株式会社
Sony Corporation
第 2 著者 氏名(和/英) 近藤 史隆 / Fumitaka KONDO
第 2 著者 所属(和/英) ソニー株式会社
Sony Corporation
第 3 著者 氏名(和/英) 渡部 勝己 / Katsumi WATANABE
第 3 著者 所属(和/英) ソニー株式会社
Sony Corporation
第 4 著者 氏名(和/英) 青木 泰憲 / Yasunori AOKI
第 4 著者 所属(和/英) ソニー株式会社
Sony Corporation
第 5 著者 氏名(和/英) 四戸 雄介 / Yusuke SHINOHE
第 5 著者 所属(和/英) ソニー株式会社
Sony Corporation
第 6 著者 氏名(和/英) 内野 浩基 / Koki UCHINO
第 6 著者 所属(和/英) ソニー株式会社
Sony Corporation
第 7 著者 氏名(和/英) 橋本 有平 / Yuhei HASHIMOTO
第 7 著者 所属(和/英) ソニー株式会社
Sony Corporation
第 8 著者 氏名(和/英) 西山 文浩 / Fumihiro NISHIYAMA
第 8 著者 所属(和/英) ソニー株式会社
Sony Corporation
第 9 著者 氏名(和/英) 宮地 宏明 / Hiroaki MIYACHI
第 9 著者 所属(和/英) ソニー株式会社
Sony Corporation
第 10 著者 氏名(和/英) 永瀬 郁穂 / Ikuho NAGASE
第 10 著者 所属(和/英) ソニーセミコンダクタ株式会社
Sony Semiconductor Corporation
第 11 著者 氏名(和/英) 上薗 格 / Itaru UEZONO
第 11 著者 所属(和/英) ソニーセミコンダクタ株式会社
Sony Semiconductor Corporation
第 12 著者 氏名(和/英) 寿村 理恵 / Rie HISAMURA
第 12 著者 所属(和/英) ソニーセミコンダクタ株式会社
Sony Semiconductor Corporation
第 13 著者 氏名(和/英) 前川 格 / Itaru MAEKAWA
第 13 著者 所属(和/英) ソニー株式会社
Sony Corporation
発表年月日 2012-08-03
資料番号 SDM2012-85,ICD2012-53
巻番号(vol) vol.112
号番号(no) 170
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日