| 講演名 | 2012-08-03 薄膜MOSトランジスタを用いた40nm CMOS高速応答デジタルLDOレギュレータ(エナジーハーベスティング・電源・ドライバ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) 小野内 雅文, 大津賀 一雄, 五十嵐 康人, 池谷 豊人, 森田 貞幸, 石橋 孝一郎, 柳沢 一正, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 薄膜MOSトランジスタを用いた40nm CMOS高速応答デジタルLDOレギュレータを試作した。試作LDOでは印加電圧緩和技術を適用することで,薄膜MOSの通常印加電圧以上の電圧入力を実現している。このことにより,試作LDOの最大出力電圧を薄膜MOSの通常印加電圧としている。さらに, (1)薄膜MOS採用による出力MOSの1GHz高速切り替え, (2)出力MOS段数の削減により,負荷変動への高速応答を実現し,出力キャパシタを不要としている。特に, (2)では新規ゲート幅設定技術を適用することで幅広い負荷電流範囲(400μA-250mA)をわずか56段の出力MOSで対応している(従来比78%減)。試作LDOを40nm CMOSプロセスで試作・評価した結果,面積は0.057mm^2,負荷応答時間は0.07μsであった。 |
| 抄録(英) | A digital low-dropout (LDO) regulator comprising only thin-oxide MOS transistors was developed. The input voltage to the LDO is set to be higher than the nominal overdrive voltage of thin-oxide MOS transistors by applying the proposed overdrive-voltage relaxation scheme. In the LDO, fast transient response can be achieved by applying an output capacitor-less design, which is based on power-MOS features as follows: 1-GHz switching and the small number of levels whereas a wide range of load current (400μA-250mA) can be covered by applying the proposed power-MOS configuration. The LDO occupies only 0.057mm^2 area using 40-nm CMOS technology, and the measured the transient response time is only 0.07μs. |
| キーワード(和) | LDOレギュレータ / デジタル制御 / 高速応答 / DVFS |
| キーワード(英) | Low-dropout regulator / digital control / fast-transient response / DVFS |
| 資料番号 | SDM2012-82,ICD2012-50 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
|---|---|
| 開催期間 | 2012/7/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 薄膜MOSトランジスタを用いた40nm CMOS高速応答デジタルLDOレギュレータ(エナジーハーベスティング・電源・ドライバ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Fast-Transient-Response Digital Low-Dropout Regulator Comprising Thin-Oxide MOS Transistors in 40-nm CMOS process |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | LDOレギュレータ / Low-dropout regulator |
| キーワード(2)（和/英） | デジタル制御 / digital control |
| キーワード(3)（和/英） | 高速応答 / fast-transient response |
| キーワード(4)（和/英） | DVFS / DVFS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小野内 雅文 / Masafumi ONOUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス Renesas Electronics Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大津賀 一雄 / Kazuo OTSUGA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス Renesas Electronics Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 五十嵐 康人 / Yasuto IGARASHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス Renesas Electronics Corp. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 池谷 豊人 / Toyohito IKEYA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス Renesas Electronics Corp. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 森田 貞幸 / Sadayuki MORITA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス Renesas Electronics Corp. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 石橋 孝一郎 / Koichiro ISHIBASHI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 電気通信大学 The University of Electro-Communications |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 柳沢 一正 / Kazumasa YANAGISAWA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス Renesas Electronics Corp. |
| 発表年月日 | 2012-08-03 |
| 資料番号 | SDM2012-82,ICD2012-50 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 170 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |