| 講演名 | 2012-08-03 バースト毎の省電力化機能を備えた10G-EPON用バーストモードレーザーダイオードドライバIC(エナジーハーベスティング・電源・ドライバ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) 小泉 弘, 富樫 稔, 野河 正史, 大友 祐輔, |
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| 抄録(和) | バースト毎に省電力化する10G-EPON用バーストモード対応レーザーダイオードドライバICの性能評価結果を報告する。省電力機能を備えたゲート回路の出力ドライバ前段配置と、電流源回路の遮断スイッチの搭載により、レーザー消光時の消費電力を通常発光時に比較して90%以上削減し、省電力状態から通常動作状態への復帰時間を16ns以内で達成した。IEEE標準規格で定義されている送信許可信号によりバースト動作と省電力動作の両方を制御することで追加の制御信号や特別な制御プロトコルを不要とし、バースト毎の省電力化を実現した。 |
| 抄録(英) | A burst-mode laser diode driver for 10G-EPON with a burst-by-burst power-saving function reduces power consumption by 93% while the laser is turned off. A quick laser turn-on time of 15 ns is successfully achieved, including the power settling time. More than a 30% mask margin is obtained 50 ns after the laser turns on. |
| キーワード(和) | バースト毎省電力化 / バースト対応 / レーザーダイオードドライバ / 10G-EPON / IEEE802.3av / 送信許可信号 / ゲート回路 / 電流スイッチ |
| キーワード(英) | Burst-by-Burst Power Saving / Burst Mode / Laser Diode Driver / 10G-EPON / IEEE802.3av / Transmit Enable Signal / Gate Circuit / Current Switching |
| 資料番号 | SDM2012-80,ICD2012-48 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2012/7/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | バースト毎の省電力化機能を備えた10G-EPON用バーストモードレーザーダイオードドライバIC(エナジーハーベスティング・電源・ドライバ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Burst-Mode Laser Diode Driver with Burst-by-Burst Power Saving for 10G-EPON Systems |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | バースト毎省電力化 / Burst-by-Burst Power Saving |
| キーワード(2)（和/英） | バースト対応 / Burst Mode |
| キーワード(3)（和/英） | レーザーダイオードドライバ / Laser Diode Driver |
| キーワード(4)（和/英） | 10G-EPON / 10G-EPON |
| キーワード(5)（和/英） | IEEE802.3av / IEEE802.3av |
| キーワード(6)（和/英） | 送信許可信号 / Transmit Enable Signal |
| キーワード(7)（和/英） | ゲート回路 / Gate Circuit |
| キーワード(8)（和/英） | 電流スイッチ / Current Switching |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小泉 弘 / Hiroshi KOIZUMI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社マイクロシステムインテグレーション研究所 NTT Microsystem Integration Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 富樫 稔 / Minoru TOGASHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社マイクロシステムインテグレーション研究所 NTT Microsystem Integration Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 野河 正史 / Masafumi NOGAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社マイクロシステムインテグレーション研究所 NTT Microsystem Integration Laboratories |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大友 祐輔 / Yusuke OHTOMO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社マイクロシステムインテグレーション研究所 NTT Microsystem Integration Laboratories |
| 発表年月日 | 2012-08-03 |
| 資料番号 | SDM2012-80,ICD2012-48 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 170 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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