| 講演名 | 2012-08-03 マイクロ波駆動技術を用いた絶縁型ゲート駆動回路(先端テクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) 永井 秀一, 根来 昇, 福田 健志, 河井 康史, 上田 哲三, 田中 毅, 大塚 信之, 上田 大助, |
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| 抄録(和) | ゲート制御信号を5.8GHzの高周波信号に変調して非接触電力伝送を行った後に信号を復元するマイクロ波駆動技術を用い、絶縁ゲート電力と絶縁ゲート信号を同時に供給できる新しい絶縁型ゲート駆動回路を提案した。新しいバタフライ型電磁界共鳴結合器を集積した絶縁型ゲート駆動回路チップを、サファイア基板上のGaN-HFETで作製し、絶縁電源なしでGaN-GITパワースイッチング素子の直接絶縁駆動を実現した。 |
| 抄録(英) | We have developed new isolated gate drivers with the Drive-by-Microwave Technology that regenerates the gate signal after the wireless power transmission of the RF converted input signal, which can provide isolated gate signal and power all together. The one-chip GaN isolated gate driver IC on a sapphire substrate with a novel butterfly-shaped electro-magnetic resonant coupler was fabricated. The direct driving of the GaN-GIT power switching device by the fabricated isolated gate driver without a bulky isolated power supply was successfully demonstrated. |
| キーワード(和) | ゲートドライバ / パワーデバイス / 非接触電力伝送 / 電磁界共鳴結合 / サファイア / GaN-HFET |
| キーワード(英) | Gate driver / Power device / Wireless Power Transmission / Electro-magnetic resonant coupling / Sapphire substrate / GaN-HFET |
| 資料番号 | SDM2012-79,ICD2012-47 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2012/7/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | マイクロ波駆動技術を用いた絶縁型ゲート駆動回路(先端テクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A DC-Isolated Gate Drive IC with Drive-by-Microwave Technology |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ゲートドライバ / Gate driver |
| キーワード(2)（和/英） | パワーデバイス / Power device |
| キーワード(3)（和/英） | 非接触電力伝送 / Wireless Power Transmission |
| キーワード(4)（和/英） | 電磁界共鳴結合 / Electro-magnetic resonant coupling |
| キーワード(5)（和/英） | サファイア / Sapphire substrate |
| キーワード(6)（和/英） | GaN-HFET / GaN-HFET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 永井 秀一 / Shuichi NAGAI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社先端技術研究所 R&D Advanced Technology Research Laboratories, Panasonic Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 根来 昇 / Noboru NEGORO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社半導体デバイス開発センター Semiconductor Devices Development Center, Industrial Devices Company, Panasonic Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 福田 健志 / Takeshi FUKUDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社先端技術研究所 R&D Advanced Technology Research Laboratories, Panasonic Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 河井 康史 / Yasufumi KAWAI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社先端技術研究所 R&D Advanced Technology Research Laboratories, Panasonic Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 上田 哲三 / Tetsuzo UEDA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社半導体デバイス開発センター Semiconductor Devices Development Center, Industrial Devices Company, Panasonic Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 田中 毅 / Tsuyoshi TANAKA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社半導体デバイス開発センター Semiconductor Devices Development Center, Industrial Devices Company, Panasonic Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 大塚 信之 / Nobuyuki OTSUKA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社先端技術研究所 R&D Advanced Technology Research Laboratories, Panasonic Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 上田 大助 / Daisuke UEDA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社先端技術研究所 R&D Advanced Technology Research Laboratories, Panasonic Corporation |
| 発表年月日 | 2012-08-03 |
| 資料番号 | SDM2012-79,ICD2012-47 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 170 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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