講演名 2012-08-03
ナノカーボン配線 : 微細金属配線代替を目指して(先端テクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
梶田 明広, 和田 真, 斎藤 達朗, 北村 政幸, 山崎 雄一, 片桐 雅之, 伊東 伴, 西出 大亮, 松本 貴士, 磯林 厚伸, 鈴木 真理子, 坂田 敦子, 渡邉 勝仁, 佐久間 尚志, 酒井 忠司,
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抄録(和) LSIの高集積化・微細化の進展により、そこに使用される配線幅は10nm台となってきており、細線効果による金属配線材料の抵抗率の急増が大きな問題となっている。一方、グラフェンやカーボンナノチューブ(CNT)に代表されるナノカーボン材料は、その特異な伝導メカニズムから、配線幅や配線長に依存しない一定の抵抗となることが期待され、超微細幅の金属配線や超高アスペクト比のビア金属プラグにおいては、金属材料を代替する可能性がある。超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)では、将来の共通基盤プロセス技術として、グラフェンを用いた微細配線およびCNTを用いた高アスペクトビアのLSI配線への応用研究を進めており、LSIプロセスとの整合性のあるCVD法を用いたグラフェン成長、CNT成長技術を中心に開発状況を紹介する。
抄録(英) The width of interconnects has been shrinking toward 10nm in accordance with LSI devices shrinkage. The resistivity of such ultra-fine metal interconnects increases steeply, because the size effect on the resistivity becomes pronounced. On the other hand, interconnects with nano-carbon materials like graphene and CNT are expected to have the resistance which doesn't depend on the size due to their unique conduction mechanism. So, nano-carbon interconnects have a potential to substitute urtra-fine metal interconnects and/or metal vias with very high aspect ratio. LEAP has developed both graphene wires and CNT vias in order to be applied to the future interconnects. Some challenges to grow graphene and CNT by CVD, which is suitable for LSI fabrication process, are shown.
キーワード(和) 配線 / ナノカーボン / グラフェン / カーボンナノチューブ
キーワード(英) Interconnect / Nanocarbon / Graphene / Carbon Nano Tube
資料番号 SDM2012-78,ICD2012-46
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 2012/7/26(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) ナノカーボン配線 : 微細金属配線代替を目指して(先端テクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Nanocarbon Interconnects : Aiming to replace ultra-fine metal interconnects
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 配線 / Interconnect
キーワード(2)(和/英) ナノカーボン / Nanocarbon
キーワード(3)(和/英) グラフェン / Graphene
キーワード(4)(和/英) カーボンナノチューブ / Carbon Nano Tube
第 1 著者 氏名(和/英) 梶田 明広 / Akihiro Kajita
第 1 著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
Low-power Electronics Association & Project (LEAP)
第 2 著者 氏名(和/英) 和田 真 / Makoto Wada
第 2 著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
Low-power Electronics Association & Project (LEAP)
第 3 著者 氏名(和/英) 斎藤 達朗 / Tatsuro Saito
第 3 著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
Low-power Electronics Association & Project (LEAP)
第 4 著者 氏名(和/英) 北村 政幸 / Masayuki Kitamura
第 4 著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
Low-power Electronics Association & Project (LEAP)
第 5 著者 氏名(和/英) 山崎 雄一 / Yuichi Yamazaki
第 5 著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
Low-power Electronics Association & Project (LEAP)
第 6 著者 氏名(和/英) 片桐 雅之 / Masayuki Katagiri
第 6 著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
Low-power Electronics Association & Project (LEAP)
第 7 著者 氏名(和/英) 伊東 伴 / Ban Ito
第 7 著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
Low-power Electronics Association & Project (LEAP)
第 8 著者 氏名(和/英) 西出 大亮 / Daisuke Nishide
第 8 著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
Low-power Electronics Association & Project (LEAP)
第 9 著者 氏名(和/英) 松本 貴士 / Takashi Matsumoto
第 9 著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
Low-power Electronics Association & Project (LEAP)
第 10 著者 氏名(和/英) 磯林 厚伸 / Atsunobu Isobayashi
第 10 著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
Low-power Electronics Association & Project (LEAP)
第 11 著者 氏名(和/英) 鈴木 真理子 / Mariko Suzuki
第 11 著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
Low-power Electronics Association & Project (LEAP)
第 12 著者 氏名(和/英) 坂田 敦子 / Atsuko Sakata
第 12 著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
Low-power Electronics Association & Project (LEAP)
第 13 著者 氏名(和/英) 渡邉 勝仁 / Masahito Watanabe
第 13 著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
Low-power Electronics Association & Project (LEAP)
第 14 著者 氏名(和/英) 佐久間 尚志 / Naoshi Sakuma
第 14 著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
Low-power Electronics Association & Project (LEAP)
第 15 著者 氏名(和/英) 酒井 忠司 / Tadashi Sakai
第 15 著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
Low-power Electronics Association & Project (LEAP)
発表年月日 2012-08-03
資料番号 SDM2012-78,ICD2012-46
巻番号(vol) vol.112
号番号(no) 170
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日