| 講演名 | 2012-08-03 低電力トンネル型トランジスタを用いたシステムLSI/メモリの設計法(先端テクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) 鈴木 良輔, 渡辺 重佳, |
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| 抄録(和) | 低消費電力型デバイスであるトンネル型トランジスタを用いたシステムLSIの設計法をインバータ、NAND回路、全加算器等を用いて検討した。平面構造のトンネル型トランジスタを用いた場合には従来の平面構造CMOSトランジスタを用いた場合より、パターン面積が大きくなる問題がある。パターン面積を縮小するためにはFinFET型のトンネル型トランジスタの導入が有効である。また、SEAセルを用いた新しい低電力なDRAMメモリセルに関しても新たに検討した。 |
| 抄録(英) | Design method of system LSI such as inverter, NAND, and full adder with low power tunnel transistor has been described. Pattern area of system LSI with plane tunnel transistor is larger than that with conventional planar CMOS transistor. By introducing FinFET type tunnel transistor pattern area of system LSI can be reduced to smaller value compared with that using conventional planar CMOS transistor. Moreover, the new low electric power DRAM memory cell using a SEA cell was newly examined. |
| キーワード(和) | 低電力 / トンネル型トランジスタ / パターン設計 / システムLSI |
| キーワード(英) | Low power / tunnel type transistor / pattern layout / system LSI |
| 資料番号 | SDM2012-77,ICD2012-45 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2012/7/26(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低電力トンネル型トランジスタを用いたシステムLSI/メモリの設計法(先端テクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Design of system LSI/memory with low power tunneling type transistor |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 低電力 / Low power |
| キーワード(2)（和/英） | トンネル型トランジスタ / tunnel type transistor |
| キーワード(3)（和/英） | パターン設計 / pattern layout |
| キーワード(4)（和/英） | システムLSI / system LSI |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鈴木 良輔 / Ryosuke SUZUKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 湘南工科大学大学院電気情報工学専攻 Graduate School of Electrical and Information Engineering, Shonan Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 渡辺 重佳 / Shigeyoshi WATANABE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 湘南工科大学大学院電気情報工学専攻 Graduate School of Electrical and Information Engineering, Shonan Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2012-08-03 |
| 資料番号 | SDM2012-77,ICD2012-45 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 170 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |