| 講演名 | 2012-08-02 4F^2のポリシリコンダイオードで駆動する微細化に優れた3Dチェインセル型相変化メモリ(不揮発メモリ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) 木下 勝治, 笹子 佳孝, 峯邑 浩行, 安齋 由美子, 田井 光春, 藤崎 芳久, 草場 壽一, 森本 忠雄, 高濱 高, 峰 利之, 島 明生, 與名本 欣樹, 小林 孝, |
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| 抄録(和) | ストレージ向け3次元縦チェインセル型相変化メモリ(Vertical Chain-Cell-Type Phase-Change Memory: VCCPCM)を作製した。開発したVCCPCMは次の3つの特徴を持つ。(1)複数積層したゲートにメモリホールを一括で形成するプロセスの適用によりプロセス工数が削減できる。(2)薄膜化可能な新相変化材料を用いることで、3次元フラッシュメモリの微細化限界以下のセルサイズを実現できる。(3)選択素子にポリシリコンダイオードを用いることで、セルファクタを4F^2に減少できる。これらの特徴により、VCCPCMの相対ビットコストは3次元フラッシュメモリと比較して0.2に低減可能である。 |
| 抄録(英) | A three-dimensional (3-D) vertical chain-cell-type phase-change memory (VCCPCM) for next-generation large-capacity storage was developed. The VCCPCM features formation of memory holes in multi-layered stacked gates by using a single mask and a memory array without a selection transistor. As a result of this configuration, the number of process steps for fabricating the VCCPCM is reduced. The excellent scalability of the VCCPCM's new phase-change material makes it possible to reduce the cell size beyond the scaling limit of flash memory. In addition, a poly-silicon selection diode makes it possible to reduce the cell factor to 4F^2. Consequently, relative cost of the VCCPCM compared to 3-D flash memory is reduced to 0.2. |
| キーワード(和) | 相変化メモリ / チェインセル / 3次元 / 縦型 |
| キーワード(英) | phase-change memory / chain-cell-type / 3-D / vertical |
| 資料番号 | SDM2012-74,ICD2012-42 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2012/7/26(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 4F^2のポリシリコンダイオードで駆動する微細化に優れた3Dチェインセル型相変化メモリ(不揮発メモリ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Scalable 3-D Vertical Chain-Cell-Type Phase-Change Memory with 4F^2 Poly-Si Diodes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 相変化メモリ / phase-change memory |
| キーワード(2)（和/英） | チェインセル / chain-cell-type |
| キーワード(3)（和/英） | 3次元 / 3-D |
| キーワード(4)（和/英） | 縦型 / vertical |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 木下 勝治 / Masaharu KINOSHITA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 笹子 佳孝 / Yoshitaka SASAGO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 峯邑 浩行 / Hiroyuki MINEMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 安齋 由美子 / Yumiko ANZAI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 田井 光春 / Mitsuharu TAI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 藤崎 芳久 / Yoshihisa FUJISAKI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 草場 壽一 / Shuichi KUSABA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 森本 忠雄 / Tadao MORIMOTO |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 高濱 高 / Takashi TAKAHAMA |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 峰 利之 / Toshiyuki MINE |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 島 明生 / Akio SHIMA |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 與名本 欣樹 / Yoshiki YONAMOYO |
| 第 12 著者 所属（和/英） | 日立製作所横浜研究所 Yokohama Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 13 著者 氏名（和/英） | 小林 孝 / Takashi KOBAYASHI |
| 第 13 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 発表年月日 | 2012-08-02 |
| 資料番号 | SDM2012-74,ICD2012-42 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 170 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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