講演名 | 2012-08-23 波長可変面発光レーザとスローライト光増幅器の平面集積構造の検討(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般) 中濱 正統, 佐野 勇人, 島田 敏和, 顧 暁冬, 坂口 孝浩, 松谷 晃宏, 小山 二三夫, |
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抄録(和) | マイクロマシン面発光レーザ(MEMS VCSEL)の単一モード出力の増大と新機能創出を目標として,Bragg反射鏡導波路に基づくスローライトSOAとMEMS VCSELの平面集積構造を提案した.解析により,980nm帯における40nmの波長掃引幅と共に,50μmのSOAを集積することで10mW以上のシングルモード出力を得られる可能性を示した.その集積構造のための初期実験として,熱駆動型のマイクロマシン反射鏡を集積したMEMS VCSELを作製し,反射鏡に集積した微小ヒータによる電気的な加熱により,170mWの加熱電力で35nmの波長掃引幅を得た.また,同様な構造によるオンチップビーム掃引機能についても議論する. |
抄録(英) | We propose the lateral integration scheme of an MEMS tunable VCSEL and a slow light amplifier for increasing single-mode powers and realizing new functionalities. The modeling result predicts the wavelength tuning range of 40 nm with the maximum output power over tens mW for a compact (50 μm) slow light amplifier monolithically integrated with an MEMS VCSEL. We fabricated an electro-thermally actuated MEMS VCSEL as a preliminary experiment for the proposed structure, and obtained a tuning range of 35 nm with heating power of 170 mW. In addition, we discuss an on-chip beam scanner employing the slow light amplifier. |
キーワード(和) | 面発光レーザ / MEMS VCSEL / 波長可変光源 / Bragg反射鏡導波路 / スローライト |
キーワード(英) | VCSEL / MEMS VCSEL / tunable laser / Bragg reflector waveguide / slow light |
資料番号 | R2012-33,EMD2012-39,CPM2012-64,OPE2012-71,LQE2012-37 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | R |
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開催期間 | 2012/8/16(から1日開催) |
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テーマ(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Reliability(R) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 波長可変面発光レーザとスローライト光増幅器の平面集積構造の検討(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Lateral Integration of Tunable MEMS VCSEL and Slow Light Amplifier |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 面発光レーザ / VCSEL |
キーワード(2)(和/英) | MEMS VCSEL / MEMS VCSEL |
キーワード(3)(和/英) | 波長可変光源 / tunable laser |
キーワード(4)(和/英) | Bragg反射鏡導波路 / Bragg reflector waveguide |
キーワード(5)(和/英) | スローライト / slow light |
第 1 著者 氏名(和/英) | 中濱 正統 / Masanori NAKAHAMA |
第 1 著者 所属(和/英) | 東工大精研 P&I Lab., Tokyo Institute of Technology |
第 2 著者 氏名(和/英) | 佐野 勇人 / Hayato SANO |
第 2 著者 所属(和/英) | 東工大精研 P&I Lab., Tokyo Institute of Technology |
第 3 著者 氏名(和/英) | 島田 敏和 / Toshikazu SHIMADA |
第 3 著者 所属(和/英) | 東工大精研 P&I Lab., Tokyo Institute of Technology |
第 4 著者 氏名(和/英) | 顧 暁冬 / Xiaodong GU |
第 4 著者 所属(和/英) | 東工大精研 P&I Lab., Tokyo Institute of Technology |
第 5 著者 氏名(和/英) | 坂口 孝浩 / Takahiro SAKAGUCHI |
第 5 著者 所属(和/英) | 東工大精研 P&I Lab., Tokyo Institute of Technology |
第 6 著者 氏名(和/英) | 松谷 晃宏 / Akihiro MATSUTANI |
第 6 著者 所属(和/英) | 東工大精研 P&I Lab., Tokyo Institute of Technology |
第 7 著者 氏名(和/英) | 小山 二三夫 / Fumio KOYAMA |
第 7 著者 所属(和/英) | 東工大精研 P&I Lab., Tokyo Institute of Technology |
発表年月日 | 2012-08-23 |
資料番号 | R2012-33,EMD2012-39,CPM2012-64,OPE2012-71,LQE2012-37 |
巻番号(vol) | vol.112 |
号番号(no) | 180 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |