講演名 2012-08-23
波長可変面発光レーザとスローライト光増幅器の平面集積構造の検討(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
中濱 正統, 佐野 勇人, 島田 敏和, 顧 暁冬, 坂口 孝浩, 松谷 晃宏, 小山 二三夫,
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抄録(和) マイクロマシン面発光レーザ(MEMS VCSEL)の単一モード出力の増大と新機能創出を目標として,Bragg反射鏡導波路に基づくスローライトSOAとMEMS VCSELの平面集積構造を提案した.解析により,980nm帯における40nmの波長掃引幅と共に,50μmのSOAを集積することで10mW以上のシングルモード出力を得られる可能性を示した.その集積構造のための初期実験として,熱駆動型のマイクロマシン反射鏡を集積したMEMS VCSELを作製し,反射鏡に集積した微小ヒータによる電気的な加熱により,170mWの加熱電力で35nmの波長掃引幅を得た.また,同様な構造によるオンチップビーム掃引機能についても議論する.
抄録(英) We propose the lateral integration scheme of an MEMS tunable VCSEL and a slow light amplifier for increasing single-mode powers and realizing new functionalities. The modeling result predicts the wavelength tuning range of 40 nm with the maximum output power over tens mW for a compact (50 μm) slow light amplifier monolithically integrated with an MEMS VCSEL. We fabricated an electro-thermally actuated MEMS VCSEL as a preliminary experiment for the proposed structure, and obtained a tuning range of 35 nm with heating power of 170 mW. In addition, we discuss an on-chip beam scanner employing the slow light amplifier.
キーワード(和) 面発光レーザ / MEMS VCSEL / 波長可変光源 / Bragg反射鏡導波路 / スローライト
キーワード(英) VCSEL / MEMS VCSEL / tunable laser / Bragg reflector waveguide / slow light
資料番号 R2012-33,EMD2012-39,CPM2012-64,OPE2012-71,LQE2012-37
発行日

研究会情報
研究会 R
開催期間 2012/8/16(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Reliability(R)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 波長可変面発光レーザとスローライト光増幅器の平面集積構造の検討(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Lateral Integration of Tunable MEMS VCSEL and Slow Light Amplifier
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 面発光レーザ / VCSEL
キーワード(2)(和/英) MEMS VCSEL / MEMS VCSEL
キーワード(3)(和/英) 波長可変光源 / tunable laser
キーワード(4)(和/英) Bragg反射鏡導波路 / Bragg reflector waveguide
キーワード(5)(和/英) スローライト / slow light
第 1 著者 氏名(和/英) 中濱 正統 / Masanori NAKAHAMA
第 1 著者 所属(和/英) 東工大精研
P&I Lab., Tokyo Institute of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 佐野 勇人 / Hayato SANO
第 2 著者 所属(和/英) 東工大精研
P&I Lab., Tokyo Institute of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 島田 敏和 / Toshikazu SHIMADA
第 3 著者 所属(和/英) 東工大精研
P&I Lab., Tokyo Institute of Technology
第 4 著者 氏名(和/英) 顧 暁冬 / Xiaodong GU
第 4 著者 所属(和/英) 東工大精研
P&I Lab., Tokyo Institute of Technology
第 5 著者 氏名(和/英) 坂口 孝浩 / Takahiro SAKAGUCHI
第 5 著者 所属(和/英) 東工大精研
P&I Lab., Tokyo Institute of Technology
第 6 著者 氏名(和/英) 松谷 晃宏 / Akihiro MATSUTANI
第 6 著者 所属(和/英) 東工大精研
P&I Lab., Tokyo Institute of Technology
第 7 著者 氏名(和/英) 小山 二三夫 / Fumio KOYAMA
第 7 著者 所属(和/英) 東工大精研
P&I Lab., Tokyo Institute of Technology
発表年月日 2012-08-23
資料番号 R2012-33,EMD2012-39,CPM2012-64,OPE2012-71,LQE2012-37
巻番号(vol) vol.112
号番号(no) 180
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日