| 講演名 | 2012-08-23 Optical properties of InGaAs/GaAsSb type-II quantum well light emitting diodes , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | InGaAs/GaAsSb type-II quantum well (QW) structures lattice-matched to InP substrates exhibit unique optical properties because of their staggered band configurations. In order to verify the merits of the type-II QW structures, optical recombination processes in type-II QW LEDs and bulk InGaAs LEDs were analyzed by current optical output characteristics (Z-parameter) with different temperatures. The result indicates that Auger recombination in the type-II QW LEDs is suppressed in comparison with that of the bulk InGaAs LEDs, especially at high temperature. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | InGaAs/GaAsSb / type-II QW LED / Auger recombination / Z parameter |
| 資料番号 | R2012-32,EMD2012-38,CPM2012-63,OPE2012-70,LQE2012-36 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | R |
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| 開催期間 | 2012/8/16(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Reliability(R) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Optical properties of InGaAs/GaAsSb type-II quantum well light emitting diodes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / InGaAs/GaAsSb |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Sundararajan Balasekaran |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd, Yokohama works |
| 発表年月日 | 2012-08-23 |
| 資料番号 | R2012-32,EMD2012-38,CPM2012-63,OPE2012-70,LQE2012-36 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 180 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |