講演名 2012-08-23
電流注入フォトニック結晶レーザ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
松尾 慎治, 佐藤 具就, 武田 浩司,
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抄録(和) 超低消費エネルギーで動作する半導体レーザ実現のためにフォトニック結晶共振器の適用が検討されている.しかしながら,二次元フォトニック結晶共振器はエアブリッジ構造という特殊な構造をもっため室温連続動作する電流注入型レーザは実現されていなかった.我々は,これまで埋込ヘテロ構造を用いたフォトニック結晶レーザを開発し,光注入励起において低しきい値かつ低消費エネルギー動作を確認してきた.今回,横注入型pin接合を作製し,電流注入による室温連続発振を実現した.発振しきい値は0.39mA,注入電流2.0mAで出力導波路内の出力光強度は1.82μWであった.また,10Gbit/sの直接変調動作も確認し,本提案のレーザのフィージビリティを確認した.
抄録(英) Photonic crystal lasers have attracted much attention because of the feasibility of its small energy cost operation. Thus, an electrically pumped photonic crystal laser in room-temperature continuous-wave operation is strongly desired. We have developed electrically driven photonic crystal laser employing an ultracompact active region embedded with InP layer. The device exhibits threshold current of 0.39 mA and the maximum output power at output waveguide of 1.82 μW. In addition, the device is directly modulated at 10 Gbit/s.
キーワード(和) フォトニック結晶レーザ / 光インターコネクション / 横型pin接合
キーワード(英) Photonic crystal laser / optical interconnection / lateral pin junction
資料番号 R2012-30,EMD2012-36,CPM2012-61,OPE2012-68,LQE2012-34
発行日

研究会情報
研究会 R
開催期間 2012/8/16(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Reliability(R)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 電流注入フォトニック結晶レーザ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Electrically Driven Photonic Crystal Laser
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) フォトニック結晶レーザ / Photonic crystal laser
キーワード(2)(和/英) 光インターコネクション / optical interconnection
キーワード(3)(和/英) 横型pin接合 / lateral pin junction
第 1 著者 氏名(和/英) 松尾 慎治 / Shinji MATSUO
第 1 著者 所属(和/英) NTTフォトニクス研究所,日本電信電話株式会社:ナノフォトニクスセンタ,日本電信電話株式会社
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation:Nanophotonics Center, NTT Corporation
第 2 著者 氏名(和/英) 佐藤 具就 / Tomonari SATO
第 2 著者 所属(和/英) NTTフォトニクス研究所,日本電信電話株式会社:ナノフォトニクスセンタ,日本電信電話株式会社
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation:Nanophotonics Center, NTT Corporation
第 3 著者 氏名(和/英) 武田 浩司 / Koji TAKEDA
第 3 著者 所属(和/英) NTTフォトニクス研究所,日本電信電話株式会社:ナノフォトニクスセンタ,日本電信電話株式会社
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation:Nanophotonics Center, NTT Corporation
発表年月日 2012-08-23
資料番号 R2012-30,EMD2012-36,CPM2012-61,OPE2012-68,LQE2012-34
巻番号(vol) vol.112
号番号(no) 180
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日