| 講演名 | 2012-08-02 システムLSI混載用STT-MRAMの高性能化とBEOLへのインテグレーション(不揮発メモリ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) 杉井 寿博, 射場 義久, 青木 正樹, 能代 英之, 角田 浩司, 畑田 明良, 中林 正明, 山崎 裕一, 高橋 厚, 吉田 親子, |
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| 抄録(和) | 本論文では,超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)で開発中の,システムLSI混載用STT-MRAMの低消費電力化,高信頼化に向けた取り組みと, BEOLへのインテグレーションについて報告する.低消費電力化に向けては,トップピンMTJ構造とプロセス歪導入の紹介をする.高信頼化向けては,トンネル絶縁膜の成膜方法,絶縁破壊耐性,書き換え耐性などを紹介する.良質なトンネル絶縁膜の開発を通して,ワークメモリとして必須の無限回書き換え耐性を初めて実証した結果についても述べる.高集積化については, CMOSが形成されている300mm基板のCu配線間にSTT-MRAMを埋め込むインテグレーションの状況について述べる. |
| 抄録(英) | Spin transfer torque MRAM (STT-MRAM) for embedded working memories in low power system LSIs was developed, utilizing a top-pinned magnetic tunnel junction (MTJ) combined with a highly reliable MgO tunneling insulator. Also, a basic integration process flow was designed and verified in MRAM devices on 300-mm wafers. |
| キーワード(和) | スピン注入 / STT-MRAM / MTJ / 混載 / 低消費電力 / 低電圧 / BEOL / インテグレーション |
| キーワード(英) | Spin transfer torque / STT-MRAM / MTJ / Low power / Embedded / BEOL / Integration |
| 資料番号 | SDM2012-73,ICD2012-41 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2012/7/26(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | システムLSI混載用STT-MRAMの高性能化とBEOLへのインテグレーション(不揮発メモリ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | STT MRAM Development and Its Integration with BEOL Process for Embedded Applications |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | スピン注入 / Spin transfer torque |
| キーワード(2)（和/英） | STT-MRAM / STT-MRAM |
| キーワード(3)（和/英） | MTJ / MTJ |
| キーワード(4)（和/英） | 混載 / Low power |
| キーワード(5)（和/英） | 低消費電力 / Embedded |
| キーワード(6)（和/英） | 低電圧 / BEOL |
| キーワード(7)（和/英） | BEOL / Integration |
| キーワード(8)（和/英） | インテグレーション |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 杉井 寿博 / Toshihiro Sugii |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association & Project (LEAP) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 射場 義久 / Yoshihisa Iba |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association & Project (LEAP) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 青木 正樹 / Masaki Aoki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association & Project (LEAP) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 能代 英之 / Hideyuki Noshiro |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association & Project (LEAP) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 角田 浩司 / Kouji Tsunoda |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association & Project (LEAP) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 畑田 明良 / Akiyoshi Hatada |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association & Project (LEAP) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 中林 正明 / Masaaki Nakabayashi |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association & Project (LEAP) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 山崎 裕一 / Yuuichi Yamazaki |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association & Project (LEAP) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 高橋 厚 / Atsusi Takahashi |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association & Project (LEAP) |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 吉田 親子 / Chikakko Yoshida |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association & Project (LEAP) |
| 発表年月日 | 2012-08-02 |
| 資料番号 | SDM2012-73,ICD2012-41 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 170 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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