| 講演名 | 2012-08-02 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) 水谷 朋子, 山本 芳樹, 槇山 秀樹, 角村 貴昭, 岩松 俊明, 尾田 秀一, 杉井 信之, 平本 俊郎, |
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| 抄録(和) | 65nm技術で作製した薄膜BOX-SOI (SOTB)トランジスタのドレイン電流ばらつきを評価し,バルクMOSトランジスタと比較した. SOTBトランジスタではバルクトランジスタと比較してドレイン電流ばらつき大幅に抑制できることを実測で示し,その原因がV_ | ばらつきの低減および電流立ち上がり電圧(COV)の低減であることを明らかにした. |
| 抄録(英) | Drain current variability in silicon-on-thin-BOX (SOTB) MOSFETs by 65nm technology is analyzed and compared with conventional bulk MOSFETs. It is found that drain current variability in SOTB MOSFETs is largely suppressed thanks to not only reduced V_ | variability but also reduced current-onset voltage (COV) variability due to intrinsic channel. |
| キーワード(和) | ばらつき / ドレイン電流 / FD SOI | |
| キーワード(英) | Variability / Drain Current / FD SOI | |
| 資料番号 | SDM2012-69,ICD2012-37 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2012/7/26(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reduced Drain Current Variability in Fully Depleted Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ばらつき / Variability |
| キーワード(2)（和/英） | ドレイン電流 / Drain Current |
| キーワード(3)（和/英） | FD SOI / FD SOI |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 水谷 朋子 / Tomoko MIZUTANI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山本 芳樹 / Yoshiki YAMAMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP) Low-power Electronics Association & Project (LEAP) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 槇山 秀樹 / Hideki MAKIYAMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP) Low-power Electronics Association & Project (LEAP) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 角村 貴昭 / Takaaki TSUNOMURA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP) Low-power Electronics Association & Project (LEAP) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 岩松 俊明 / Toshiaki IWAMATSU |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP) Low-power Electronics Association & Project (LEAP) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 尾田 秀一 / Hidekazu ODA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP) Low-power Electronics Association & Project (LEAP) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 杉井 信之 / Nobuyuki SUGII |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP) Low-power Electronics Association & Project (LEAP) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 平本 俊郎 / Toshiro HIRAMOTO |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 発表年月日 | 2012-08-02 |
| 資料番号 | SDM2012-69,ICD2012-37 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 170 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |