| 講演名 | 2012-08-02 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) 杉井 信之, 岩松 俊明, 山本 芳樹, 槇山 秀樹, 角村 貴昭, 篠原 博文, 青野 英樹, 尾田 秀一, 蒲原 史朗, 山口 泰男, 水谷 朋子, 平本 俊郎, |
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| 抄録(和) | CMOSの超低電力化への要求は相変わらず大きい.消費電力効率を出来るだけ高めた超低電圧動作CMOSデバイスが実現できれば,ユビキタスセンサネットワークなどへの広汎な応用が期待できる.現代の微細CMOSにおける超低電圧動作に対する主要課題は,トランジスタ特性のばらつきを抑え,かつ適応制御によって可能な限り低電圧で要求に見合う回路性能を引き出すことである.この課題を解決するために,我々は薄膜BOX-SOI(SOTB)というCMOSトランジスタを開発している.本報告では, SOTBの特長,超低電圧動作に向けたデバイス・プロセス技術,応用分野を拡大するためのデバイス・回路連携に関して述べる. |
| 抄録(英) | Needs for low-power CMOS devices are still increasing. Ultralow-voltage-operation (ULV) CMOS with maximum power efficiency can extend the application field of electron devices: ubiquitous sensor network, etc. The main issues for ULV operation for the modern scaled CMOS are reducing variability and adaptive control of circuit performances enabling the operation at voltages as low as possible. In order to solve these issues, we are developing the silicon-on-thin-buried-oxide (SOTB) transistors. Features of the SOTB, transistor technology dedicated for ULV operation are presented and importance of device-circuit interaction to extend the application field is discussed. |
| キーワード(和) | CMOS / FDSOI / 完全空乏 / 低電力 / ばらつき / 基板バイアス制御 |
| キーワード(英) | CMOS / FDSOI / low power / variability / back-bias control |
| 資料番号 | SDM2012-68,ICD2012-36 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2012/7/26(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Silicon on Thin Buried Oxide (SOTB) Technology for Ultralow-Power (ULP) Applications |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(2)（和/英） | FDSOI / FDSOI |
| キーワード(3)（和/英） | 完全空乏 / low power |
| キーワード(4)（和/英） | 低電力 / variability |
| キーワード(5)（和/英） | ばらつき / back-bias control |
| キーワード(6)（和/英） | 基板バイアス制御 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 杉井 信之 / Nobuyuki SUGII |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社 Low-power Electronics Association & Project (LEAP):Renesas Electronics Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岩松 俊明 / Toshiaki IWAMATSU |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社 Low-power Electronics Association & Project (LEAP):Renesas Electronics Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山本 芳樹 / Yoshiki YAMAMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社 Low-power Electronics Association & Project (LEAP):Renesas Electronics Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 槇山 秀樹 / Hideki MAKIYAMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社 Low-power Electronics Association & Project (LEAP):Renesas Electronics Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 角村 貴昭 / Takaaki TSUNOMURA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社 Low-power Electronics Association & Project (LEAP):Renesas Electronics Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 篠原 博文 / Hirofumi SHINOHARA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社 Low-power Electronics Association & Project (LEAP):Renesas Electronics Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 青野 英樹 / Hideki AONO |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社 Low-power Electronics Association & Project (LEAP):Renesas Electronics Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 尾田 秀一 / Hidekazu ODA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社 Low-power Electronics Association & Project (LEAP):Renesas Electronics Corporation |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 蒲原 史朗 / Shiro KAMOHARA |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社 Low-power Electronics Association & Project (LEAP):Renesas Electronics Corporation |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 山口 泰男 / Yasuo YAMAGUCHI |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社 Low-power Electronics Association & Project (LEAP):Renesas Electronics Corporation |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 水谷 朋子 / Tomoko MIZUTANI |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, The University of Tokyo |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 平本 俊郎 / Toshiro HIRAMOTO |
| 第 12 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, The University of Tokyo |
| 発表年月日 | 2012-08-02 |
| 資料番号 | SDM2012-68,ICD2012-36 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 170 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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