| 講演名 | 2012-08-02 エネルギー効率からみたパワーゲーティングとDVFSの比較(低電圧・低消費電力ディジタル回路,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) 井上 淳樹, 吉田 英司, |
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| 抄録(和) | 近年のLSIのエネルギー効率を増大するために、電源電圧制御(パワーゲーティングやDVFS)が広く使われており、細粒度電源電圧制御についても議論されることが多い。本論文では、両者の制御方式を同じデッドタイム制約のもとで比較することで、パワーゲーティングがより効率的となる設計制約条件を導き出した。この条件を15年間のITRSロードマップで予測されるパラメータを使って評価した結果、DVFS方式は徐々にその優位性を失うことがわかった。ハイパフォーマンス(HP)テクノロジーで設計されたLSIでは15年後においてもエネルギー効率の点で優位性を保てるが、LOPテクノロジーで設計されたLSIではその優位性を失うことが予想される。 |
| 抄録(英) | To increase the energy efficiency of modern LSIs, supply voltage control techniques (power gating and dynamic voltage frequency scaling) have been widely used and the energy efficiency of fine grain temporal controls in both cases have been discussed. In this paper, we applied dead time constraint, compared the energy efficiencies and formulated the boundary condition that power gating is more energy efficient than DVFS. The formulation is applied to discuss the future trend of energy efficiency using ITRS roadmap and it was found that DVFS would be still effective with high-performance technology, however, it will not be effective with low-operating-power technology. |
| キーワード(和) | パワーゲーティング / DVFS / エネルギー利得 / DIBL / ITRS |
| キーワード(英) | Power gating / DVFS / Energy gain / DIBL / ITRS |
| 資料番号 | SDM2012-66,ICD2012-34 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2012/7/26(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | エネルギー効率からみたパワーゲーティングとDVFSの比較(低電圧・低消費電力ディジタル回路,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Comparison between power gating and DVFS from the view point of energy efficiency |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | パワーゲーティング / Power gating |
| キーワード(2)（和/英） | DVFS / DVFS |
| キーワード(3)（和/英） | エネルギー利得 / Energy gain |
| キーワード(4)（和/英） | DIBL / DIBL |
| キーワード(5)（和/英） | ITRS / ITRS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 井上 淳樹 / Atsuki Inoue |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所プラットフォームテクノロジー研究所 Fujitsu Laboratories Ltd., Platform Technology Lab. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 吉田 英司 / Eiji Yoshida |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所プラットフォームテクノロジー研究所 Fujitsu Laboratories Ltd., Platform Technology Lab. |
| 発表年月日 | 2012-08-02 |
| 資料番号 | SDM2012-66,ICD2012-34 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 170 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |