| 講演名 | 2012-08-02 SRAMセル安定性の一括ポストファブリケーション自己修復技術(低電圧・高信頼SRAM,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) , 更屋 拓哉, 宮野 信治, 平本 俊郎, |
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| 抄録(和) | 電源電圧線(V_| シフトを調べた結果,セルのLOW側ノードに接続されているPMOSの|V_ | |がストレス印加により低下していることを新たに発見し,このV_ | シフトがSRAM自己修復に大きく貢献していることを初めて明らかにした. | |
| 抄録(英) | The post fabrication technique for self-improvement of SRAM cell stability is validated by experiment using 1k DMA SRAM TEG array. It is shown that the stability of unbalance cells is automatically improved by merely applying stress voltage to V_| of all transistors before and after stress and it is newly found that |V_ | | of the weaker PFET connected to the LOW node in the cell is selectively lowered by the self-improve mechanism and this |V_ | | shift largely contributes to the self-improvement. | |
| キーワード(和) | Threshold Voltage / CMOS / SRAM | |||
| キーワード(英) | Threshold Voltage / CMOS / SRAM | |||
| 資料番号 | SDM2012-65,ICD2012-33 | |||
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2012/7/26(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SRAMセル安定性の一括ポストファブリケーション自己修復技術(低電圧・高信頼SRAM,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Self-Improvement of Cell Stability in SRAM by Post Fabrication Technique |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Threshold Voltage / Threshold Voltage |
| キーワード(2)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(3)（和/英） | SRAM / SRAM |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Anil Kumar |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 更屋 拓哉 / MIYANO Shinji / |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 宮野 信治 / Toshiro HIRAMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | STARC STARC |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 平本 俊郎 |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 発表年月日 | 2012-08-02 |
| 資料番号 | SDM2012-65,ICD2012-33 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 170 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |