| 講演名 | 2012-08-24 ワンチップWDMレシーバに向けた石英系AWGとGe PDのSiプラットフォーム上モノリシック集積(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般) 西 英隆, 土澤 泰, 高 磊, 開 達郎, 福田 浩, 石川 靖彦, 和田 一実, 山田 浩治, |
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| 抄録(和) | ECRプラズマCVD法による低温石英膜作製技術を用いて、Si光集積プラットフォーム上に石英系AWGとGePDのモノリシック集積デバイスを作製した。集積したAWGによって全16chの分波に成功し、全出力chに接続されたGePDにおいて1.25Gbps PRBS信号受信と良好なアイ開口が得られることを確認した。さらに、作製した光デバイス上に多チャネルトランスインピーダンスアンプ回路のフリップチップボンディングを行い、将来のワンチップWDMレシーバに向けた光電子集積デバイスの可能性について検討した。 |
| 抄録(英) | Using low-temperature ECR PECVD technology, a silica-based AWG was monolithically integrated with germanium photodiodes on a Si photonic platform. We confirmed that the integrated AWG successfully demultiplex all of 16-wavelength channels and all of integrated GePDs received 1.25 Gbps PRBS signals with clear eye opening. In addition, we have mounted multi-channel transimpedance amplifiers and limiting amplifiers on the integrated photonic device using flip-chip bonding technology. |
| キーワード(和) | シリコンフォトニクス / モノリシック集積 / ECR-CVD / WDM / AWG / Ge PD |
| キーワード(英) | Si photonics / monolithic integration / ECR-CVD / WDM / AWG / Ge PD |
| 資料番号 | R2012-43,EMD2012-49,CPM2012-74,OPE2012-81,LQE2012-47 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2012/8/16(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ワンチップWDMレシーバに向けた石英系AWGとGe PDのSiプラットフォーム上モノリシック集積(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Monolithic Integration of a Silica AWG and Ge PDs on Si Photonic Platform for One-Chip WDM Receiver |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンフォトニクス / Si photonics |
| キーワード(2)（和/英） | モノリシック集積 / monolithic integration |
| キーワード(3)（和/英） | ECR-CVD / ECR-CVD |
| キーワード(4)（和/英） | WDM / WDM |
| キーワード(5)（和/英） | AWG / AWG |
| キーワード(6)（和/英） | Ge PD / Ge PD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 西 英隆 / Hidetaka NISHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ NTT Microsystem Integration Labs., NTT Corp.:Nanophotonics Center, NTT Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 土澤 泰 / Tai TSUCHIZAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ NTT Microsystem Integration Labs., NTT Corp.:Nanophotonics Center, NTT Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 高 磊 / Rai KOU |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ NTT Microsystem Integration Labs., NTT Corp.:Nanophotonics Center, NTT Corp. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 開 達郎 / Tatsuro HIRAKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ NTT Microsystem Integration Labs., NTT Corp.:Nanophotonics Center, NTT Corp. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 福田 浩 / Hiroshi FUKUDA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ NTT Microsystem Integration Labs., NTT Corp.:Nanophotonics Center, NTT Corp. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 石川 靖彦 / Yasuhiko ISHIKAWA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京大学マテリアル工学専攻 Department of Material Engineering, University of Tokyo |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 和田 一実 / Kazumi WADA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東京大学マテリアル工学専攻 Department of Material Engineering, University of Tokyo |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 山田 浩治 / Koji YAMADA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ NTT Microsystem Integration Labs., NTT Corp.:Nanophotonics Center, NTT Corp. |
| 発表年月日 | 2012-08-24 |
| 資料番号 | R2012-43,EMD2012-49,CPM2012-74,OPE2012-81,LQE2012-47 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 182 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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