| 講演名 | 2012-08-23 半導体発光デバイスの信頼性研究 : 総論と1990年代以降のトピックス(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般) 上田 修, |
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| 抄録(和) | 半導体発光デバイスは、大中容量ファイバ通信システム用の光源のみならず、オーディオ/ディジタルシステム、センシングシステム、医療機器用など、極めて多岐にわたる領域に用いられており、その材料・構造も多種多様となってきている。そのため、高性能で信頼性の高い製品を開発するには、発光デバイスの信頼性向上が重要な鍵を握っているといっても過言ではない。したがって、これら発光デバイスの信頼性に関する研究もその開発の黎明期である1970年代初頭から現在に至るまで、精力的に行われてきた。本講演では、発光デバイスの信頼性研究について、まず3つの主要な劣化モードを紹介した後、1990年代以降の主な研究成果(トピックス)について概説するとともに、残された課題についても議論する。 |
| 抄録(英) | Semiconductor optical devices come in a variety of materials and structures, and they are used in an extremely wide range of fields such as light sources in medium to high capacity fiber optic communications systems, audio and digital systems, as well as being used in sensing systems and medical equipment. It would thus be no exaggeration to say that improving the reliability of optical devices is essential to the development of high-performance, highly reliable products. That is why vigorous reliability studies have been conducted from the very outset, early 1970s, and to the present day. This paper first outlines the three main degradation modes for optical devices, then presents topics in the reliability research that was carried out since the early 1990s, also discussing the remaining problems. |
| キーワード(和) | III-V族化合物半導体 / 窒化物半導体 / 半導体レーザ / LED / 劣化 / 転位 / 点欠陥 / TEM / PL |
| キーワード(英) | III-V Compound Semiconductor / Nitride semiconductor / Semiconductor Laser / LED / Degradation / Dislocation / Point Defect / TEM / PL |
| 資料番号 | R2012-26,EMD2012-32,CPM2012-57,OPE2012-64,LQE2012-30 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2012/8/16(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 半導体発光デバイスの信頼性研究 : 総論と1990年代以降のトピックス(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on Reliability of Semiconductor Optical Devices : General Remarks and Topics since the Early 1990s |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | III-V族化合物半導体 / III-V Compound Semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | 窒化物半導体 / Nitride semiconductor |
| キーワード(3)（和/英） | 半導体レーザ / Semiconductor Laser |
| キーワード(4)（和/英） | LED / LED |
| キーワード(5)（和/英） | 劣化 / Degradation |
| キーワード(6)（和/英） | 転位 / Dislocation |
| キーワード(7)（和/英） | 点欠陥 / Point Defect |
| キーワード(8)（和/英） | TEM / TEM |
| キーワード(9)（和/英） | PL / PL |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 上田 修 / Osamu UEDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Kanazawa Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2012-08-23 |
| 資料番号 | R2012-26,EMD2012-32,CPM2012-57,OPE2012-64,LQE2012-30 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 182 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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