| 講演名 | 2012-08-09 面内配向単層カーボンナノチューブの自由電子レーザー照射効果 相良 拓実, 石井 宏治, 土肥 智史, 矢島 博文, 岩田 展幸, 山本 寛, |
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| 抄録(和) | 単層カーボンナノチューブ(single-walled carbon nanotubes: SWNTs)を用いたナノスケール電子デバイスを作製するため、面内配向とカイラリティの同時制御を目的とする。その第一段階として、γ面サファイア基板を用いた面内配向制御とSWNTs成長中に自由電子レーザ(free electron laser: FEL)を照射したカイラリティ制御を行った。ラマンスペクトル結果より、r面サファイア基板にFEL未照射で成長させた場合、半導体性のSWNTsが成長しており、SPM表面像より[-1101]方向に揃って成長していたが、長さは500nmとなった。SiO_2/Si基板では成長中に800nmのFELを照射することにより、6種類のカイラリティを持ったSWNTsが成長し全て半導体性のみ制限された。 |
| 抄録(英) | The purpose of this study is synthesis of in-plane aligned and chirality controlled single-walled carbon nanotubes (SWNTs) for nano electronic devices. As a first step, in-plane aligned SWNTs is addressed to synthesize on r-cut Al_2O_3 substrate, and chirality control of the SWNTs is undertaken by free electron laser (FEL) irradiation during growth on SiO_2/Si substrate. On r-cut Al_2O_3 substrate without FEL, the Raman spectrum shows growth of semiconducting SWNTs, and the surface image demonstrates that the aligned SWNTs are observed along the [-1101] direction, although the length of the SWNTs is approximately 500 nm. On SiO_2/Si substrate, grown SWNTs with 800nm-FEL irradiation is only semiconducting with six kinds of chilarity, demonstrated by the Raman spectra with multi excitation lasers. |
| キーワード(和) | 単層カーボンナノチューブ / 面内配向 / 自由電子レーザ |
| キーワード(英) | single-walled carbon nanotubes / in-plane aligned / free electron laser |
| 資料番号 | CPM2012-47 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2012/8/1(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 面内配向単層カーボンナノチューブの自由電子レーザー照射効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Free electron laser irradiation effect of In-plane aligned single-walled carbon nanotubes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 単層カーボンナノチューブ / single-walled carbon nanotubes |
| キーワード(2)（和/英） | 面内配向 / in-plane aligned |
| キーワード(3)（和/英） | 自由電子レーザ / free electron laser |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 相良 拓実 / Takumi Sagara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon Univ |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石井 宏治 / Kouji Isii |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京理科大学理学部 College of Science, Tokyo Univ of Science |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 土肥 智史 / Satoshi Doi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon Univ |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 矢島 博文 / Hirofumi Yajima |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京理科大学理学部 College of Science, Tokyo Univ of Science |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 岩田 展幸 / Nobuyuki Iwata |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon Univ |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 山本 寛 / Hiroshi Yamamoto |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon Univ |
| 発表年月日 | 2012-08-09 |
| 資料番号 | CPM2012-47 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 175 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |