| 講演名 | 2012-07-27 90nm CMOSテクノロジを用いた3バンド対応W-CDMA用電力増幅器IC(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路) 神田 浩一, 川野 陽一, 佐々木 孝朗, 白井 徳明, 田村 哲朗, 川井 重明, 工藤 真大, 村上 智敏, 中本 裕之, 長谷川 延正, 加納 英樹, 峰山 亜希子, 大石 和明, 島 昌司, 田村 直義, 鈴木 俊秀, 森 俊彦, 韮塚 公利, 山浦 新司, |
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| 抄録(和) | 本論文では、3つの異なる周波数帯(800MHz,1.7GHz,2.0GHz)に対応した、W-CDMA用CMOS電力増幅器ICに関して述べる。チップ上には3つの電力増幅器に加え、温度センサ回路、パワーディテクタ回路、ディジタル制御インターフェース回路などを搭載した。更に、従来外付け部品で構成されてきた出力整合回路を全てチップ上に集積化し、これをフリップチップ実装することにより、3.5×4×0.7mmの小型パッケージを実現した。各電力増幅器はACPR(5MHz離調)<-34dBcの条件において、27.3[dBm]の利得、28.5%の電力付加効率、及び27.4[dBm]の出力電力を達成した。出力電力に応じて電源電圧とゲートバイアスを調整することにより、20[mA]以下のDG09平均消費電流を実現した。 |
| 抄録(英) | This paper describes a world-first triple-band (800MHz, 1.7GHz, and 2.0GHz) W-CDMA CMOS power amplifier with on-chip power and temperature sensors and a digital interface in a 3.5 x 4 x 0.7mm flip-chip package. Full integration of matching circuits eliminates off-chip matching components. The linear PA achieved 27.3dB gain, 28.5% PAE and 27.4dBm output power at -34dBc ACPR. With adaptive supply voltage and gate bias control, less than 20mA of DG09 average current is achieved.. |
| キーワード(和) | 電力増幅器 / マルチバンド / CMOS / 90nm / W-CDMA |
| キーワード(英) | Power amplifier / Multi-band / CMOS / 90nm / W-CDMA |
| 資料番号 | ICD2012-28 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2012/7/19(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 90nm CMOSテクノロジを用いた3バンド対応W-CDMA用電力増幅器IC(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Fully Integrated Triple-Band CMOS Power Amplifier for WCDMA Mobile Handsets |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電力増幅器 / Power amplifier |
| キーワード(2)（和/英） | マルチバンド / Multi-band |
| キーワード(3)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(4)（和/英） | 90nm / 90nm |
| キーワード(5)（和/英） | W-CDMA / W-CDMA |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 神田 浩一 / Kouichi Kanda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories LTD |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 川野 陽一 / Yoichi Kawano |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富士通セミコンダクター株式会社 Fujitsu Semiconductor |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐々木 孝朗 / Takao Sasaki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富士通セミコンダクター株式会社 Fujitsu Semiconductor |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 白井 徳明 / Noriaki Shirai |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富士通セミコンダクター株式会社 Fujitsu Semiconductor |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 田村 哲朗 / Tetsuro Tamura |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富士通セミコンダクター株式会社 Fujitsu Semiconductor |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 川井 重明 / Shigeaki Kawai |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 富士通セミコンダクター株式会社 Fujitsu Semiconductor |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 工藤 真大 / Masahiro Kudo |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 富士通セミコンダクター株式会社 Fujitsu Semiconductor |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 村上 智敏 / Tomotoshi Murakami |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 富士通セミコンダクター株式会社 Fujitsu Semiconductor |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 中本 裕之 / Hiroyuki Nakamoto |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories LTD |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 長谷川 延正 / Nobumasa Hasegawa |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 富士通セミコンダクター株式会社 Fujitsu Semiconductor |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 加納 英樹 / Hideki Kano |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 富士通セミコンダクター株式会社 Fujitsu Semiconductor |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 峰山 亜希子 / Akiko Mineyama |
| 第 12 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories LTD |
| 第 13 著者 氏名（和/英） | 大石 和明 / Kazuaki Oishi |
| 第 13 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories LTD |
| 第 14 著者 氏名（和/英） | 島 昌司 / Masashi Shima |
| 第 14 著者 所属（和/英） | 富士通セミコンダクター株式会社 Fujitsu Semiconductor |
| 第 15 著者 氏名（和/英） | 田村 直義 / Naoyoshi Tamura |
| 第 15 著者 所属（和/英） | 富士通セミコンダクター株式会社 Fujitsu Semiconductor |
| 第 16 著者 氏名（和/英） | 鈴木 俊秀 / Toshihide Suzuki |
| 第 16 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories LTD |
| 第 17 著者 氏名（和/英） | 森 俊彦 / Toshihiko Mori |
| 第 17 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories LTD |
| 第 18 著者 氏名（和/英） | 韮塚 公利 / Kimitoshi Niratsuka |
| 第 18 著者 所属（和/英） | 富士通セミコンダクター株式会社 Fujitsu Semiconductor |
| 第 19 著者 氏名（和/英） | 山浦 新司 / Shinji Yamaura |
| 第 19 著者 所属（和/英） | 富士通セミコンダクター株式会社 Fujitsu Semiconductor |
| 発表年月日 | 2012-07-27 |
| 資料番号 | ICD2012-28 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 159 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |